CoolSiC

英飞凌基于大量实测与器件机理研究，为大家还原 CoolSiC™ MOSFET 短路特性的真相，帮你在选型与应用中少走弯路。

全新XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET模块适用于可再生能源领域，包括风电、光伏及电池储能系统等应用。

CoolSiC™ MOSFET G2 1200V系列产品是英飞凌最新推出的SiC MOSFET 产品，均采用了扩散焊工艺（.XT） 来降低结壳热阻。TO247封装器件的导通电阻从7mΩ到78mΩ。

安富利基于英飞凌CoolSiC™打造了一套3.3 kW高功率密度双向PFC解决方案，它的最高效率可达99.2%，功率密度约72 W/in³，专为下一代高能效应用而生。

碳化硅功率半导体在光伏、充电、电动汽车等行业得到了广泛应用，其潜力毋庸置疑。然而，从当前高功率碳化硅MOSFET来看，仍存在一个难题

本文介绍了工业应用辅助电源解决方案，包括两级式辅助电源架构和各种拓扑结构。

CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。

CoolSiC™ 碳化硅MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低，它们的效率很高，因此可以实现高功率密度