Nexperia的采用夹片式FlatPower(CFP)封装的肖特基整流器产品组合提供了最高效的解决方案，满足功率处理和散热要求，同时节省了空间，并且降低封装高度。
在挑选MOSFET时，大多数工程师首先关注的一个参数便是RDS(on)值。然而，面对消费电子、计算、移动设备乃至工业子系统的大批量需求，设计工程师对产品的要求日益多样化
在保持小尺寸的同时，提供出色的散热性能
全新倒装芯片栅格阵列(FC-LGA)封装提供出色的射频性能，采用侧边可湿焊盘，满足车规级质量要求
NEX13120FPC-Q100具有极为出色的热性能。在100 mA电流条件下，其压降仅为600 mV
Nexperia此次发布的E-mode GaN FET新产品包括新型低压40 V双向器件(RDSon<12 mΩ)，以便支持过压保护(OVP)、负载切换和低压应用
通用LDO可在3-40 V的宽输入电压范围内提供稳定的3.3 V或5 V输出（精度达±2%），可直接连接汽车电池，无需额外的预稳压电路
这些低电容器件还能够保护适用于100/1000BASE-T1标准的12/24/48V网络，帮助汽车制造商简化电路板设计，优化供应链管理
NXU系列包括4位、2位和1位双电源缓冲器，相较于现有设计，提供体积更小、性能更高且成本更低的电平转换解决方案
全新PMIC消除了对外部电感器的需求，从而大大减少了电路板空间和物料清单（BOM）成本