泛林集团

本文中，我们来看一下使用 SEMulator3D®虚拟实验设计来预测不同栅极关键尺寸、金属栅极凹槽深度和金属栅极凹槽轮廓下的电阻和电容的结果。

随着传统DRAM器件的持续缩小，较小尺寸下寄生电容的增加可能会对器件性能产生负面影响，未来可能需要新的DRAM结构来降低总电容

随着互连尺寸缩减，阻挡层占总体线体积的比例逐渐增大。因此，半导体行业一直在努力寻找可取代传统铜双大马士革方案的替代金属线材料

随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升，制造工艺中刻蚀工艺波动的影响将变得明显。刻蚀终点探测用于确定刻蚀工艺是否完成、且没有剩余材料可供刻蚀

随着器件微缩至3nm及以下节点，后段模块处理迎来许多新的挑战，这使芯片制造商开始考虑新的后段集成方案

本文将举例说明如何借助虚拟制造评估 DRAM 电容器图形化工艺的工艺窗口

随着技术推进到1.5nm及更先进节点，后段器件集成将会遇到新的难题，比如需要降低金属间距和支持新的工艺流程

动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备

泛林集团推出了Coronus DX产品，这是业界首个晶圆边缘沉积解决方案，旨在更好地应对下一代逻辑、3D NAND和先进封装应用中的关键制造挑战

由后段制程(BEOL)金属线寄生电阻电容(RC)造成的延迟已成为限制先进节点芯片性能的主要因素