提高下一代DRAM器件的寄生电容性能
judy -- 周二, 11/12/2024 - 16:10随着传统DRAM器件的持续缩小,较小尺寸下寄生电容的增加可能会对器件性能产生负面影响,未来可能需要新的DRAM结构来降低总电容
随着传统DRAM器件的持续缩小,较小尺寸下寄生电容的增加可能会对器件性能产生负面影响,未来可能需要新的DRAM结构来降低总电容
24Gb GDDR7提供了业界出众的容量和超过40Gbps的速度,极大提升了图形DRAM的性能,为未来应用注入强劲动力
TrendForce集邦咨询表示,2024年第一季DRAM合约价季涨幅约13~18%,其中Mobile DRAM持续领涨
佰维成功研发并发布了支持CXL 2.0规范的CXL DRAM内存扩展模块。CXL 2.0 DRAM采用EDSFF(E3.S)外形规格,内存容量高达96GB
美光推出基于 32Gb 单裸片的 128GB DDR5 RDIMM 内存,具有高达 8,000 MT/s 速率的一流性能,可支持当前及未来的数据中心工作负载。
本文将举例说明如何借助虚拟制造评估 DRAM 电容器图形化工艺的工艺窗口
LPDDR5T的16 GB容量套装产品可在国际半导体标准化组织(JEDEC)规定的最低电压1.01至1. 12V(伏特)标准范围下运行
在相同封装尺寸下,容量是16Gb内存模组的两倍,功耗降低10%,且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存模组
本文将探讨消费类DRAM和工业DRAM之间的差异,并揭示不正确使用DRAM的风险
SK海力士21日宣布,公司成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E1,并开始向客户提供样品进行性能验证。