三星开发出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能计算
judy -- 周四, 10/17/2024 - 10:21
24Gb GDDR7提供了业界出众的容量和超过40Gbps的速度，极大提升了图形DRAM的性能，为未来应用注入强劲动力
DRAM
涨势延续，预估2024年第一季DRAM合约价季涨幅13~18%
judy -- 周一, 01/08/2024 - 14:56
TrendForce集邦咨询表示，2024年第一季DRAM合约价季涨幅约13~18%，其中Mobile DRAM持续领涨
佰维发布CXL 2.0 DRAM，赋能高性能计算
judy -- 周三, 12/27/2023 - 11:31
佰维成功研发并发布了支持CXL 2.0规范的CXL DRAM内存扩展模块。CXL 2.0 DRAM采用EDSFF（E3.S）外形规格，内存容量高达96GB
美光率先为业界伙伴提供基于 32Gb 单裸片 DRAM 的高速率、低延迟 128GB 大容量 RDIMM 内存
judy -- 周四, 11/23/2023 - 10:33
美光推出基于 32Gb 单裸片的 128GB DDR5 RDIMM 内存，具有高达 8,000 MT/s 速率的一流性能，可支持当前及未来的数据中心工作负载。
以工艺窗口建模探索路径：使用虚拟制造评估先进DRAM电容器图形化的工艺窗口
judy -- 周四, 11/16/2023 - 15:04
本文将举例说明如何借助虚拟制造评估 DRAM 电容器图形化工艺的工艺窗口
SK海力士全面推进全球最高速率LPDDR5T DRAM商用化
judy -- 周一, 11/13/2023 - 15:20
LPDDR5T的16 GB容量套装产品可在国际半导体标准化组织（JEDEC）规定的最低电压1.01至1. 12V（伏特）标准范围下运行
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品
judy -- 周五, 09/01/2023 - 10:16
在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，功耗降低10%，且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存模组
为什么消费类DRAM无法满足工业应用需求？
judy -- 周四, 08/24/2023 - 14:45
本文将探讨消费类DRAM和工业DRAM之间的差异，并揭示不正确使用DRAM的风险
SK海力士开发出全球最高规格HBM3E，向客户提供样品进行性能验证
judy -- 周二, 08/22/2023 - 10:24
SK海力士21日宣布，公司成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E1，并开始向客户提供样品进行性能验证。
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工艺
judy -- 周三, 08/09/2023 - 15:54
TechInsights发现了四种EUV光刻(EUVL)工艺，用于阵列有源切割/外围有源(有源修剪)、位线接触(BLC)、存储节点接触垫(SNLP)/外围第一金属层 (M1)和存储节点(SN)管图形化