DRAM

192GB SOCAMM2采用美光领先的1-gamma DRAM制程技术，能效提高20%以上，有助于实现大型数据中心集群的电源设计优化。

第四季旧制程DRAM价格涨幅依旧可观，新世代产品涨势相对温和。预估整体一般型DRAM价格将季增8-13%，若加计HBM，涨幅将扩大至13-18%。

本文将通过案例展示虚拟制造在DRAM鞍形鳍开发中的应用，并评估DRAM器件在不同轮廓下的电学性能。该方法可为工艺与整合团队制定DRAM器件的工艺配方和规格提供指导。

该款16Gb DDR5产品的数据传输速率可达9200MT/s，与前代产品相比，速率提升高达15%，功耗降低超过20%。

OCTRAM采用圆柱形InGaZnO垂直晶体管作为单元晶体管。这种设计能够适配4F² DRAM，与传统的硅基6F² DRAM相比，4F² DRAM在存储密度方面具有显著优势。

随着传统DRAM器件的持续缩小，较小尺寸下寄生电容的增加可能会对器件性能产生负面影响，未来可能需要新的DRAM结构来降低总电容

24Gb GDDR7提供了业界出众的容量和超过40Gbps的速度，极大提升了图形DRAM的性能，为未来应用注入强劲动力

TrendForce集邦咨询表示，2024年第一季DRAM合约价季涨幅约13~18%，其中Mobile DRAM持续领涨

佰维成功研发并发布了支持CXL 2.0规范的CXL DRAM内存扩展模块。CXL 2.0 DRAM采用EDSFF（E3.S）外形规格，内存容量高达96GB

美光推出基于 32Gb 单裸片的 128GB DDR5 RDIMM 内存，具有高达 8,000 MT/s 速率的一流性能，可支持当前及未来的数据中心工作负载。