DRAM

该款16Gb DDR5产品的数据传输速率可达9200MT/s，与前代产品相比，速率提升高达15%，功耗降低超过20%。

OCTRAM采用圆柱形InGaZnO垂直晶体管作为单元晶体管。这种设计能够适配4F² DRAM，与传统的硅基6F² DRAM相比，4F² DRAM在存储密度方面具有显著优势。

随着传统DRAM器件的持续缩小，较小尺寸下寄生电容的增加可能会对器件性能产生负面影响，未来可能需要新的DRAM结构来降低总电容

24Gb GDDR7提供了业界出众的容量和超过40Gbps的速度，极大提升了图形DRAM的性能，为未来应用注入强劲动力

TrendForce集邦咨询表示，2024年第一季DRAM合约价季涨幅约13~18%，其中Mobile DRAM持续领涨

佰维成功研发并发布了支持CXL 2.0规范的CXL DRAM内存扩展模块。CXL 2.0 DRAM采用EDSFF（E3.S）外形规格，内存容量高达96GB

美光推出基于 32Gb 单裸片的 128GB DDR5 RDIMM 内存，具有高达 8,000 MT/s 速率的一流性能，可支持当前及未来的数据中心工作负载。

本文将举例说明如何借助虚拟制造评估 DRAM 电容器图形化工艺的工艺窗口

LPDDR5T的16 GB容量套装产品可在国际半导体标准化组织（JEDEC）规定的最低电压1.01至1. 12V（伏特）标准范围下运行

在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，功耗降低10%，且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存模组