DRAM

TechInsights发现了四种EUV光刻(EUVL)工艺，用于阵列有源切割/外围有源(有源修剪)、位线接触(BLC)、存储节点接触垫(SNLP)/外围第一金属层 (M1)和存储节点(SN)管图形化

动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备

半导体公司正在推动 DRAM 的进步，突破性能、密度和效率的界限。这是最近的一些例子

三星电子最新推出的DRAM将以更高的能效和生产率，优化人工智能应用在内的下一代计算

CXL作为下一代，能够为高性能服务器系统中与CPU一起使用的加速器、DRAM和存储设备提高效率。

当一个市场处于下行趋势时，需要有新的刺激，才能改变市场的走势，在经历近一年大幅下跌之后 ，有哪些行业将给存储产业注入新的活力

本次产品的速度比现有产品快13%，运行速度高达9.6Gbps（Gb/s）

三星电子新款DRAM将于2023年开始量产，以优异的性能和更高的能效，推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展

由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案

三星最新的LPDDR5X内存已通过验证，可在骁龙移动平台上使用，该内存速度可达到当前业界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）