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USB Type-C® 和 USB Power Delivery：专为扩展功率范围和电池供电型系统而设计

USB Type-C® (USB-C®) 是一种业界通用连接器，支持通过单个接口传输数据和电力，适用于个人电子产品、汽车、工业和企业系统等应用

栅极氧化层可靠性是SiC器件应用的一个关注点。本节介绍SiC栅极绝缘层加工工艺，重点介绍其与Si的不同之处。

2024-11-22 | SiC, 三菱电机

在DC/DC转换器中，GaN器件提高了降压/升压转换器等电压转换器的效率，尤其适合电动汽车和数据中心等应用

本文介绍了ADI公司的BLE和SmartMesh无线状态监控传感器，其中包括一款搭载边缘人工智能(AI)的新型无线传感器，它能延长受限边缘传感器节点的电池寿命。

随着行业不断探索解决方案，宽禁带（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），被视为解决之道

2024-11-21 | 碳化硅

在本文中，我们将分“二极管整流升压型DC-DC转换器”、“同步整流升压型DC-DC转换器”

3.3V供电的STM32开发板，输出24V的工业传感器，如果把它俩直连在一起，会发生什么？把不同电平的芯片或者开发板直连，你是不是也做过类似的事？

制造商和消费者都在试图摆脱对化石燃料能源的依赖，电气化方案也因此广受青睐。

2024-11-19 | 逆变器, IGBT

本文介绍了热容的概念，提出了瞬态的热特性，并对比了不同封装的瞬态热阻

EMI滤波器在确保系统在高电压环境下安全稳定运行方面扮演了至关重要的角色。以下将阐述EMI滤波器如何在这一关键环节发挥重要作用。

本文介绍一种将CM辐射和DM辐射从LTC7818控制的开关稳压器中分离出来的实用方法。

在 PCB layout 中实施热管理的方法有几种——从简单的散热风扇，到复杂的外壳和散热片设计。

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计

随着传统DRAM器件的持续缩小，较小尺寸下寄生电容的增加可能会对器件性能产生负面影响，未来可能需要新的DRAM结构来降低总电容

在本文中，我们将讨论这些缺点，并说明射频全差分放大器（FDA）如何帮助您更大限度提高射频采样 ADC 的性能。