GaN

本文介绍了一种新型单级转换器参考设计 TIDA-010954，该设计使上述终端设备的实施更高效、体积更小，同时降低了成本。

芯片面积缩减30%：通过先进的工艺优化与结构创新，显著提升硅片利用率，助力实现更高功率密度设计

本文提出了一种基于 GaN 场效应晶体管 (FET) 的 10kW 串式逆变器。我们还将探讨 GaN 的优势，并重点介绍为住宅太阳能应用构建此类系统的优势。

本文将探讨德州仪器的 UCG28826 集成 GaN 反激式转换器如何帮助您克服交流/直流适配器设计难题。

该款新器件具有极高的象征意义，因为集成度更高，设计应用更为简便。

本文介绍了宽带隙（GaN）技术在高压LED照明中的应用，以及如何解决效率和功率密度挑战

在DC/DC转换器中，GaN器件提高了降压/升压转换器等电压转换器的效率，尤其适合电动汽车和数据中心等应用

本文深入探讨了四开关降压-升压GaNFET控制，但其原理同样适用于简单的降压或升压控制器。

德州仪器采用当前先进的 GaN 制造技术，现启用两家工厂生产 GaN 功率半导体全系列产品

如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点