GaN

TE系列采用宽带隙氮化镓半导体、高频平面变压器和增强型反激拓扑等先进技术，12V和24V输出型为承受峰值负载，可提供140%的功率

本文将解读PMIC如何用于设计和控制雷达、无线基础设施、卫星通信和其他应用中的RF GaN PA技术

本文简要讨论了氮化镓的优势及其设计挑战。然后，介绍了Power Integrations的三个带有内部氮化镓功率开关的集成离线反激式转换开关 IC 平台

电机驱动设计方面的技术进步为我们开启了许多大门。例如在运动控制系统中，更高精度、效率和控制能力给用户体验性和安全性

本白皮书讨论了GaN固有的物理特点。以及常关d模式GaN解决方案如何最大限度地发挥这些固有优势

据Yole预测，预计到 2028 年，功率 GAN 市场将占电力电子市场的 6% 以上。其中，消费类快速充电器和适配器仍然是 Power GaN 的主要驱动力

针对汽车电子中的48V轻混系统应用，英诺赛科推出了2.4kW 双向buck/boost 参考设计，为48V轻混系统提供先进解决方案。

英诺赛科推出两款 100V 新品氮化镓功率器件，旨在提高电源功率转换效率，降低系统损耗与成本

光探测与测距(LiDAR)是一项具有巨大发展潜力的技术。首个概念是在激光发明后不久的20世纪60年代提出的，随后在测量，航空航天和自动驾驶汽车方面的机会真正推动了增长。

这些SMD提供Transphorm专利SuperGaN® d-mode双开关常闭式平台所带来的可靠性和性能优势，并采用为竞品e-mode GaN器件常用的封装配置