多方联合揭示硅中氢致自由电子生成机制
judy -- 周三, 01/21/2026 - 15:03
此项突破性成果有望优化绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的设计与制造工艺,从而提升其能效表现并降低功率损耗

此项突破性成果有望优化绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的设计与制造工艺,从而提升其能效表现并降低功率损耗

在新能源浪潮席卷全球的当下,一个容易被忽视的事实是:内燃机并未退出历史舞台。尤其是在中国及全球大量新兴市场

目前大多数IGBT 模块允许工作的温湿度以及气候条件遵循IEC60721-3-3规定,为使客户更加了解IGBT 的使用环境条件,本文主要介绍温度以及湿度运行条件。

本文研究了650V RCIGBT上不同集成二极管与IGBT的面积比,以及不同B+接触注入和退火条件所带来的影响。

IGBT的电流是器件基本参数之一,显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。这样的理解对于日常工作交流来说是足够了,但对于一位设计工程师是远远不够的,而且业内充满着误解和流言。

本文简要描述了CoolSiC™ Hybrid混合功率器件在OBC中的典型应用。并结合仿真,介绍了AIKBE50N65RF5器件的相关性能,尤其是OBC应用中关心的开关损耗话题。

Littelfuse推出新型1300V A5A沟槽分立式IGBT,专为800V电动汽车(BEV)应用而设计。这些IGBT具有优化的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))

本文将家电应用拆解为三个子应用,从电机拖动、PFC(功率因数校正)电路、感应加热入手,分别讨论安世半导体 650 V G3 平台的 IGBT 的应用优势。

本白皮书将探讨IGBT并联的技术要点,本文将继续介绍栅极电阻、经验数据。

该模块采用第8代绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片,有助于降低太阳能发电系统、储能电池等电源系统中逆变器的功率损耗,提高逆变器的输出功率。