IGBT

下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！

本文主要想从驱动设计的角度，探讨一些降低电流变化率，从而抑制电压过冲的方法。

在实践中，SOA曲线是工程师的重要参考之一。工程师必须考虑到所有的极限工况，同时保证器件的工作时的参数都在SOA之内。

本讲座主要介绍DIPIPMTM的基础、功能、应用和失效分析技巧，旨在帮助读者全面了解并正确使用该产品。

今天，本文就和大家唠一唠IGBT的安全工作区。

IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。

功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个MOSFET不太可能被静电放电损坏。然而，在处理成千上万个MOSFET时，极小的故障都可能带来极大的影响。

在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的门极电压规范。本文就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑，提供些有用的参考。

IGBT作为一种功率开关，从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间，就像生活中开关门太快容易挤压手一样，过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。

与分立产品设计相比，IGBT IPM在易于设计、安全性、可靠性和节省空间等方面具有诸多优点。 IGBT IPM的可定制性较差，但其本质上的使用方法就是根据应用产品选择合适的IGBT IPM。