IGBT

功率半导体驱动电路是集成电路的一个重要子类，功能强大，用于IGBT的驱动IC除了提供驱动电平和电流，往往带有驱动的保护功能，包括退饱和短路保护、欠压关断、米勒钳位、两级关断、软关断、SRC(slew rate control)等

随着汽油成本上升以及人们对汽车尾气排放带来的环境问题的日益关注，汽车工业正在加快研究开发油耗更低、功率密度更高、鲁棒性更强的新型动力传动系统。

英飞凌推出了采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT，该器件符合并超越了车规级半导体分立器件应力测试标准AECQ101，能大幅提升逆变器系统的性能和可靠性。

此次新发售的2kV工业LV100封装T系列IGBT模块是为DC1500V电力变换器设计的2kV耐压产品，主要可用于几百千瓦到几兆瓦级的大容量系统，以满足可再生能源的供电需求。

IGBT是一种电压驱动的电子开关，正常情况下只要给15V电压就可以饱和导通，实际器件的驱动是给栅极端口电容充放电，还是需要电流的。IGBT驱动电流峰值电流取决于栅极总电阻，电流取决于栅极电荷，但我们一般讲的是峰值电流。

本文以功率循环曲线为例介绍如何正确理解IGBT厂家给出的功率循环曲线。

在实际应用中，工程师们都会遇到一个相同的困惑：器件的选型着实令人头疼。对此，小编感同身受。今天，我们就一起来看看MOSFET和IGBT之间的有哪些异同点，在选型时应着重查看哪些参数。

意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。

<font color="#FF8000">作者： 赵佳，英飞凌工业半导体</font>

为了大大减少开通损耗，英飞凌为TRENCHSTOP™ 5系列的器件引入了TO-247 4pin封装。这种封装多了一个额外的发射极引脚，称为开尔文发射极，专门用于驱动回路。