IGBT

在ZVS软开关设计中，MOSFET关断损耗Eoff的准确计算至关重要。其中，一个经常被忽略但影响显著的参数就是输出电容储能Eoss。本文介绍两种工程上常用且计算精度较高的方法

在ZVS（Zero Voltage Switching，零电压开关）软开关设计中，MOSFET关断损耗Eoff的准确计算至关重要。其中，一个经常被忽略但影响显著的参数就是输出电容储能Eoss（Output Capacitance Stored Energy）。

本文将介绍电机驱动的架构，以及其中各主要部件的作用。

新产品非常适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。