车载充电器材料选择比较:碳化硅与IGBT
judy -- 周四, 11/07/2024 - 11:22
车载充电器 (OBC) 解决了电动汽车 (EV) 的一个重要问题。它们将来自电网的交流电转换为适合电池充电的直流电,从而实现电动汽车充电
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功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计
器件峰值输出电流高达4 A,工作温度高达+125 °C,传播延迟低至200 ns
本文将探讨英飞凌在混合式功率半导体创新技术方面为高效牵引逆变器在效率、成本和可持续性之间寻找更好的平衡点。
本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块,该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管
IGBT和MOSFET有类似的器件结构,MOS中的漏极D相当于IGBT的集电极C,而MOS的源极S相当于IGBT的发射极E
三菱电机从事功率半导体开发和生产已有六十多年的历史,从早期的二极管、晶闸管,到MOSFET、IGBT和SiC器件
变频技术需要使用适当的半导体解决方案。一种行之有效的方法是使用智能功率模块(IPM)。
可提供量身定制的导通和关断时序,将开关损耗降至最低,并增强dV/dt抗扰性能
该款超紧凑单板驱动器可对逆变器模块进行主动温升管理,从而提高系统利用率,并简化物料清单(BOM)以提高逆变器系统的可靠性