绝缘栅双极晶体管(IGBTs)简史
judy -- 周五, 07/14/2023 - 10:00一年的结束通常是回顾和反思的时候。在TechInsights 2021年底发布的功率半导体博客中,我们总结了SiC MOSFET设计的一些最新发展
一年的结束通常是回顾和反思的时候。在TechInsights 2021年底发布的功率半导体博客中,我们总结了SiC MOSFET设计的一些最新发展
全球范围内正在经历一场能源革命。根据国际能源署的报告,到 2026 年,可再生能源将占全球能源增长量的大约 95%
Nexperia的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构,在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性
在本文中,我们介绍 IGBT 器件的结构和运行,并列举多种不同 IGBT 应用的电路拓扑结构
IGBT具有栅极、集电极、发射极3个引脚。栅极与MOSFET相同,集电极和发射极与双极晶体管相同
DIPS26智能功率模块采用芯能新一代自研驱动IC和IGBT芯片,优化内部布局与引脚分布,是包括空调压缩机、变频洗衣机、变频烟机
远程新能源商用车集团推出国内首个正向研发的新能源重卡数智架构GXA-T,并发布了基于全新架构打造的远程星瀚G系列重卡
随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加,汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品,竞争日益激烈
1SP0635V2A0D将Power Integrations成熟可靠的SCALE-2™开关性能和保护特性与可配置的隔离串行输出接口相结合,增强了驱动器的设定灵活性,且能提供全面的遥测报告,以实现准确的寿命估算