IGBT

安森美可靠性审核程序提供了一种强大的方法，可以发现 IGBT 产品线中潜在的工艺异常迹象

本文将会从导通损耗，开关损耗和短路性能来分别讨论。

本文介绍安森美的IGBT常规进行的可靠性测试

英飞凌科技推出了4.5kV XHP™ 3 IGBT模块，用于改变目前采用两电平和三电平拓扑结构

IGBT 的安全工作区（SOA）是使IGBT在不发生自损坏或性能沒有下降的情况下的工作电流和电压条件

SCALE™-2 2SP0230T2x0双通道门极驱动器可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能，保护紧凑型SiC MOSFET免受过电流的损坏

宏微科技推出75A-450A不同电流等级的半桥模块和75A-150A的H桥一体化模块。通过每相采用单个或两个及以上半桥模块并联

TRENCHSTOP™ IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度

本文将展示一种可回流焊接的TO-247PLUS单管封装，该封装可将器件芯片到DCB基板的热阻降至最低。

Nexperia（安世半导体）的 IGBT 产品系列优化了开关损耗和导通损耗, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力，实现更高的电流密度和系统可靠性。