数据中心

数据中心是一个专门设计、建设和运维的设施,用于集中存储、处理、管理和传输大量的电子数据。它是许多组织和企业用来支持其信息技术(IT)需求的核心基础设施。

澜起科技推出CXL® 3.1内存扩展控制器, 助力下一代数据中心基础设施性能升级

澜起科技CXL 3.1内存扩展控制器采用PCIe 6.2物理层接口,支持最高64 GT/s的传输速率(x8通道),并具备多速率、多宽度的兼容能力

TDK推出适用于光收发器的紧凑型薄膜电感器,可降低人工智能数据中心的损耗

新产品采用TDK专有的金属磁性材料与结构设计,在1206尺寸下实现10μH电感值的最高标准性能。

革新AI算力基建:1.2kW 48V GaN方案突破数据中心PUE局限

英诺赛科此次推出的多相降压电源方案利用氮化镓高频高效的优势和四相交错Buck拓扑结构,实现高功率密度紧凑设计

48V 集成式热插拔电子保险丝:为现代 AI 数据中心高效供电

TPS1689 和 TPS1685 通过集成这些功能简化了设计,将解决方案尺寸缩减多达 50%,同时提供无缝可扩展性以支持高功率级别。

数据中心“提速”:224Gbps高速互连离我们还有多远?

在人工智能(AI)和机器学习(ML)加持下的新一代数据中心正在对复杂的计算能力、巨大的存储容量和无缝连接产生前所未有的需求

为什么超大规模数据中心要选用SiC MOSFET?

如今,数据中心迫切需要能够高效转换电能的功率半导体,以降低成本并减少排放。更高的电源转换效率意味着发热量减少,从而降低散热成本。

面对电动汽车和数据中心两大主力应用市场,SiC和GaN该如何发力?

在DC/DC转换器中,GaN器件提高了降压/升压转换器等电压转换器的效率,尤其适合电动汽车和数据中心等应用

人工智能对数据中心基础设施带来了哪些挑战?

在加密货币和人工智能/机器学习(AI/ML)等新兴应用的驱动下,数据中心的能耗巨大,并将快速增长以满足用户需求

GaN+SiC!纳微全球首发8.5kW AI数据中心服务器电源

效率超97.5%!由高功率 GaNSafe™ 和第三代快速碳化硅MOSFETs 打造的下一代电源方案,完美适配AI和超大规模数据中心

美光推出全新数据中心 SSD,性能业界领先

美光 9550 SSD 凭借 14.0 GB/s 的顺序读取速率和 10.0 GB/s 的顺序写入速率,提供出色的性能,与业界同类 SSD 相比,其性能提升高达 67%