楼氏电容推出全新3825封装X1/Y2级MLCCs，拓宽高压设计灵活度Knowles楼氏电容全新推出了具备安全认证的3825封装多层陶瓷电容器（MLCC）系列，在现有安全电容器产品组合的基础上，将310Vac条件下的最大电容值扩展至18nF。 
三大硬核技术加持｜AW8625X 触觉驱动芯片，刷新振感交互新标准AW86253QNR和AW86254CSR最低支持电压1.8V, 既支持了硅负极锂电池所需要的宽供电范围，同时又支持了双节干电池的供电需求。 
低噪、毛刺、声场塌陷全消失！GM1501专为 DAC打造供电利器本文依托实测对比数据，对比GM1501与理光RP114N331D两款3.3V LDO的音频供电表现， GM1501同时满足DAC对数字、模拟电路的供电需求，为各类音频设备硬件迭代、音质升级提供可落地的实测依据 
ST车规STripFET F8 MOSFET：车载低压高效新选择STL059N4S8AG在导通和开关效率方面树立了新的基准。它专为恶劣工况设计，已通过AEC-Q101认证，适用于汽车应用，并支持175°C的最高结温。 
CoolSiC™ JFET技术解析 | 为什么固态断路器（SSCB）越来越多采用SiC JFET？在新一代电力输送与配电系统向高比例新能源、高压直流化、智能化升级的大趋势下，SSCB（固态断路器）正成为新一代电力输送与分配网络的标配保护设备 
车载氛围灯“色差”难题如何破？一文读懂LED颜色校准与温度补偿想象一下这样的场景：您坐进一辆配备氛围灯的新车，车门内侧是柔和的冰蓝色，而中控台却泛着一丝青绿。同一种颜色设置，不同位置的灯珠却呈现出微妙的差异 
PI 推出面向新一代高压电力系统的2200V氮化镓技术适用的新兴应用场景包含下一代AI数据中心（行业技术路线图规划采用1500V配电架构）以及输出电压（48V）持续提升的下一代电动汽车电池系统与辅助电源系统 
氮化镓增强型GaN晶体管结构简介GaN 氮化镓晶体管（HEMT）的基本结构如下图1所示，以 GaN/AlGaN 异质结为主体，在AlGaN/ GaN的异质结界面处，由于氮化镓材料的自发极化效应与压电极化效应 
Murata推出直接安装于AD/ADAS ECU的高精度6DoF惯性传感器
以往的车辆按功能分别配置多个ECU（电子控制单元），近年来，车辆电子系统正从传统的模块化设计向区域架构转变。将多个ECU整合为一个单元，即功能集成ECU，对车辆多个系统进行统一控制的电子控制单元。株式会社村田制作所目前就开发了专为直接安装于AD/ADAS ECU的高精度6DoF惯性传感器“SCH1633-D05”，并已于2026年6月开始量产。
美芯晟推出多拓扑结构车规级高精度恒流驱动控制器MTQ6111该芯片采用峰值电流模式控制架构，满足AEC-Q100车规级认证标准，工作结温‑40℃~150℃，支持Boost、Buck-Boost、SEPIC等多种拓扑结构，适配不同类型和功率等级的LED灯组 
亿级像素内卷时代，30万像素CIS为何仍是刚需？随着国内CMOS图像传感器20多年的发展，消费类产品正进入亿级像素赛道。在很多人的观念里，高像素意味着覆盖了全部的视觉需求，但实际上图像传感器在选型阶段的核心标准恰恰不是单纯的“像素数字大小” 
不换芯片，也能精准监测电池健康：Nordic电量计v2.0来了该方案在 v1.0 版本成熟可靠的剩余电量测算精度基础上，新增自适应模型，持续对比电池原始特性曲线与设备实际运行工况，结合充放电循环次数实现精准的健康状态估算，追踪电池长期老化趋势 
Vishay TSOP15300 红外接收器登场，30~68kHz 宽频、节省 PCB 空间这些器件通过减少元件数量达到节省空间的目的，可简化通用遥控器的设计，同时支持30 kHz至68 kHz的调制频率范围 
SK海力士与闪迪发布HBF首个标准规范 在“FMS 2026”展示面向AI的存储解决方案该规范定义了两种容量配置，分别采用8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量；并按三个等级（Grade 1~3）设定带宽标准，数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s 
