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IGBT 还是 SiC ? 英飞凌新型混合功率器件助力新能源汽车实现高性价比电驱

本文将探讨英飞凌在混合式功率半导体创新技术方面为高效牵引逆变器在效率、成本和可持续性之间寻找更好的平衡点。

2024-09-18 | IGBT, SiC, 英飞凌

10BASE-T1L以太网协议不仅能在最长1000米的范围内实现高达10 Mbps的数据传输速率，还同时能进行供电

2024-09-18 | TDK, 10BASE-T1L

机器人中使用的电机有多种类型，包括直流电机、伺服电机和步进电机等，每种电机都具有独特的功能，适用于各种应用。

新型50 µA齐纳系列二极管推出B-selection (Vz +/-2%)，Vz范围从1.8 V到51 V，提供标准版和汽车版。

在选择LDO之前，明确定义IC设计的具体要求非常重要。需要考虑电压调节需求、电源效率、噪声敏感度和物理约束等因素。

通过UFS 4.0，智能手机在执行AI任务时能够以更低的延迟和更高的效率处理数据，这不仅改善了用户体验，还为更加复杂和多样化的AI应用场景提供了可能。

本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块，该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管

本文概述了多种触摸传感器的类型及其产品特性，包括工作原理、灵敏度、精确度、适用场景等。

在数字化时代，海量数据的产生已经成为常态，从智能手机到物联网设备，数据源已经无处不在。传统的云计算模式虽然强大，但也存在着延迟、带宽和数据隐私等问题

光迅科技自主研发的OBAND 50G与100G EML芯片及器件，凭借其卓越的性能指标，可适配100GHz高密度波长间隔，为高速、大容量、低功耗、低时延数据传输提供更高性价比的系列方案。

电子产品的形状和尺寸多种多样，用于实现其功能的器件也是如此。起初，设计人员可能无法独自区分产品规格单上的不同器件封装类型，尤其是在参数没有区别的情况下

2024-09-13 | 器件封装

本文首先介绍了一个典型的共射极放大器，然后探讨了发射极旁路电容器的工作原理。我们将研究电容器对增益、失真和频率响应的影响

器件节省成本和空间，力度达120 N，额定工作电压低至12 V（8 V至16 V），可提供车载和商用高分辨触控效果

Power Integrations灵活通用的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC产品系列为汽车应用提供了多种方案选择

近年来，为了满足 5G、AI、汽车电子等新兴市场不断增长的算力需求，芯片的集成度不断提高，相应的功耗也随之增加。

2024-09-12 | Cadence, 芯片, AI