聚焦电子元器件选型、采购与应用技术

搞懂这些材料对设计电源和功率器件很重要！本文介绍了电源领域硅、碳化硅、氮化镓三类主流功率半导体材料的核心性能参数、技术特性与适配场景

澜起科技率先试产CXL® 3.2内存扩展控制器CXL 3.2内存扩展控制器支持CXL Type 3规范的CXL.mem和CXL.io协议，基于PCIe® 6.x和CXL 3.2协议设计，最高支持64 GT/s数据传输速率。

SEMI报告：2026年第二季度全球硅晶圆出货量同比增长7.4%2026年第二季度全球硅晶圆出货量同比增长7.4%，达到3573百万平方英寸（MSI），2025年同期为3327百万平方英寸。出货量较2026年第一季度记录的3275百万平方英寸环比增长9.1%。

纳芯微重磅发布 NSM350x 系列，国产首款霍尔双码道游标算法磁编码器问世NSM350x系列内部集成差分霍尔传感器，可检测垂直于芯片表面的磁场变化，并通过双码道游标算法实现高精度角度测量，绝对角度分辨率最高可达22 bit

硬件减负、安全升级！东芝 M4L 组 MCU 量产，电机控制方案开发提速该系列微控制器采用带FPU的Arm® Cortex® M4内核，工作频率最高可达80MHz。其支持2.7V至5.5V的供电电压范围，兼容现有3V和5V系统，同时为新设计提供高度灵活性

英飞凌 ISSI20BxxF 登场，固态隔离器实现光耦方案无缝替换该系列采用紧凑型PG-DSO-8 150 mil封装，占板面积与现有光隔离器方案相当，帮助设计人员在空间受限的方案中无缝升级至SSI技术

元视芯发布国产高阶8MP车规CIS芯片MAT821MAT821采用3D堆叠架构与单像素设计，从底层规避传统大小像素方案的光学串扰、色彩偏移缺陷。凭借自研的LOFIC成像架构，芯片单曝光原生动态范围可达120dB，最高可拓展至140dB

氮化镓增强型GaN晶体管结构简介GaN 氮化镓晶体管（HEMT）的基本结构如下图1所示，以 GaN/AlGaN 异质结为主体，在AlGaN/ GaN的异质结界面处，由于氮化镓材料的自发极化效应与压电极化效应

音频无声故障全流程排查指南来啦！本文整理了一套可直接落地的音频无声故障排查流程，涵盖场景分类、节点检测、根因分析、解决方法

多维科技推出TMR3015系列高精度角度传感器芯片该系列产品基于隧道磁阻（TMR）技术，兼具高精度角度检测能力与超小型化封装优势，可面向智能手机摄像头VCM、机器人关节、智能家电等应用场景

DIO10904—国内首款大电流硅光AFE进入头部DSP厂商( 800G/1.6T参考设计）DIO10904的IDAC支持可编程的0~200mA和0~400mA两种输出电流范围，400mA的超大电流输出能力使DIO10904能够轻松驱动各类高功率激光器

关于存储的五个误区当前半导体存储器市场的繁荣主要是人工智能驱动的产能分配问题，而不仅仅是工厂短缺的问题。

AI需求催出日韩MLCC厂单月出货新高，消费级订单外溢效应显现根据TrendForce集邦咨询最新MLCC产业调查，得益于AI需求畅旺，2026年六月Murata、Samsung Electro-Mechanics、Taiyo Yuden等三大日韩厂出货同步创下近五年单月新高

从“能动”到“精动”：东芝半导体破解人形机器人运动控制的平衡难题人形机器人正站在规模化商用的前夕，但工程师们仍深陷于一组根本性的矛盾之中：关节既要强劲有力，又必须冷静克制；手指需要精准灵敏

南芯科技推出三相电机MCU+磁编码器，赋能高精度电机控制SC54232 可同时解决角度检测、速度反馈与按键交互，最高支持 80,000 RPM 转速，输出传播延迟仅 5μs。搭配 SC29251/2

隔离偏置电源如何从源头抑制共模 EMI？本期，我们将继续介绍隔离式偏置变压器寄生电容对 EMI 性能的影响的详细知识。

最高 35A、80V DC！TDK EP21 系列 SMD 双扼流圈新品上线新元件提供48 V (AC) 或80 V (DC) 额定电压选项，额定电流范围为20.3 A至35 A，在最高+70 °C的温度条件下无需降额运行，仅当温度超过 +70 °C时才需降额使用

座椅滑轨检测：从机械开关到智能传感器当今的汽车创新大多聚焦于电气化和自动驾驶。然而，在汽车车身电子领域，一场同样深刻的变革正在发生，核心在于如何检测、解释并响应物理状态

器件采用4引脚LSOP薄型封装，隔离电压5000 V_RMS，绝缘重复峰值电压V_IORM1414 V_peak，绝缘瞬态峰值电压V_IOTM 8000 V_peak

被忽视的"手腕经济"里，四颗国产滤波器正在改写射频供应链的版图智能手机时代，大家关注的是处理器、存储和显示；AI时代，讨论的是大模型和AI眼镜。但真正支撑终端体验的基础器件，往往是在那些容易被忽视的角落里，悄悄完成能力的积累。