跳转到主要内容
【填问卷 月月赢好礼】“芯英雄联盟”直播服务在线调查
CES 2026(国际消费类电子产品展览会)专题
以板载匠心,赋能 FPGA 创新,加速产品从 0 到 1
直播预约 | AI 智能体加速FPGA开发
难以置信!5微米,比红细胞还小!Mars ZX2让机械臂变得更精密、更紧凑、更易集成
2026英伟达GTC大会专题
AI算力炸了,电容电感也炸了:高频DCDC是缺料时代的破局方案凌晨三点还在改 BOM 的硬件工程师,相信大家都有过类似的经历。谁没被 22µF 以上的 MLCC 和 1µH 以上的电感逼疯过?
48V 车规新标杆!ST 48V车规预驱动器正式量产该芯片的八路输出均可单独配置为驱动外接N沟道、P沟道高边MOS开关管或N沟道低边MOS开关管,让开发者灵活地控制各种负载配置。
Vishay新款IHXL系列电感器提供高达209 A的额定电流,铁芯损耗降低20%这些器件采用宽体SMD-8封装,CTI值为600,爬电距离和电气间隙≥ 11 mm,VIORM为1500 Vpeak,VIOWM为1060 VRMS
为现代游戏主机设计可靠的电源保护集成式电子保险丝技术帮助主机设计师在保护关键供电轨的同时降低系统复杂性
一文看懂存储级内存SCMAI、实时分析、边缘计算和工业自动化正在改变数据中心的存储逻辑。过去很多系统设计里,DRAM 负责速度,NAND 闪存负责容量,中间的性能空档长期存在。
三大硬核优势,PXHB120P1 驱动芯片强势发布PXHB120P1系列120V半桥驱动芯片凭借出色的综合性能,适配多类供电及驱动方案,助力算力电源、机器人电源与电机驱动等场景实现高效落地。
意法半导体推出内置AI的高性能振动传感器,赋能工业状态监测这款传感器尺寸紧凑,稳健可靠,可以测量10kHz及以上的高频振动和冲击,动态范围高达200g,兼具数字化测量的精准度和易用性,工作温度范围高达125℃
安森美发布GaNEXUS™氮化镓功率产品组合安森美的GaNEXUS产品组合为下一代电源架构带来更快开关速度、更低开关损耗、更高功率密度及更优热性能
纳芯微推出 NCA1043D-Q1 全国产车规 CAN 收发器 全项通过 EMC Class III 认证NCA1043D-Q1采用纳芯微自研的振铃抑制专利,允许工程师在多节点、复杂拓扑情况下有效减少总线中的信号反射,降低振铃现象发生的概率
碳化硅赋能浪潮教程:SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析本文将介绍SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。
三菱电机与Semikron Danfoss联合开发新型标准封装功率半导体模块新型封装采用了T型三电平电路,有助于提高效率并实现逆变器的小型化。
NEXH5890热插拔控制器,赋能AI服务器卓越效能该控制器可以广泛应用于48V AI 服务器托盘热插拔、千瓦级 GPU 算力卡及 12V/24V/48V 分布式电源系统等场景
Vishay汽车级光耦合器,为电动汽车和太阳能逆变器提供高额定隔离电压和长距离传输这些器件采用宽体SMD-8封装,CTI值为600,爬电距离和电气间隙≥ 11 mm,VIORM为1500 Vpeak,VIOWM为1060 VRMS
如何巧用自适应电源?PLC 输出功耗减半指南本文聚焦PLC 4–20mA 输出低功耗设计,从固定电源高损耗痛点切入,完整讲解自适应电源降功耗方案
如何巧用自适应电源?PLC 输出功耗减半指南本文聚焦PLC 4–20mA 输出低功耗设计,从固定电源高损耗痛点切入,完整讲解自适应电源降功耗方案
三菱电机将开始提供第5代SiC MOSFET裸芯片样品

三菱电机集团于2026年6月4日宣布,将于同年6月下旬起陆续开始提供两款新型第5代SiC MOSFET裸芯片样品。该芯片适用于电动汽车(EV)、插电式混合动力汽车(PHEV)及其他电动化车辆(xEV)的电机驱动逆变器与eAxles¹(电驱动桥)。第5代SiC MOSFET芯片采用三菱电机独有的沟槽栅结构²,实现了业界先进水平³的低导通电阻⁴,相比现有产品降低约25%⁵。

Melexis推出全球首款2线输出2位霍尔开关MLX92344是一款极具灵活性的无PCB解决方案,可实现多达四个位置的非接触式检测,无需使用体积庞大的微动开关。
5A 大电流 + 50ms 极速保护!Vishay 六款 SMD PTC 热敏电阻全新上市这些紧凑型器件可提供高达5.0 A的维持电流、低至50 ms的快速响应时间以及低至5 mW的电阻,包括六种紧凑型封装尺寸
基于SiC驱动的7kW EC风扇关键技术解析及其在AI服务器散热中的创新应用本文将全面解析SiC驱动7kW EC风扇的技术架构、核心器件特性、实验性能表现,并探讨其在AI服务器、数据中心等领域的应用价值与行业发展前景。