跳转到主要内容
第五届滴水湖中国RISC-V产业论坛专题
【填问卷 月月赢好礼】“芯英雄联盟”直播服务在线调查
CES 2026(国际消费类电子产品展览会)专题
以板载匠心,赋能 FPGA 创新,加速产品从 0 到 1
直播预约 | AI 智能体加速FPGA开发
难以置信!5微米,比红细胞还小!Mars ZX2让机械臂变得更精密、更紧凑、更易集成
2026英伟达GTC大会专题
广和通发布AI智能模组SCA825-W

广和通正式推出了基于高通QCS8250芯片平台的高算力AI模组SCA825-W,将全面应用于联网医疗、数字标牌、智慧零售、视频协作等复杂视频图像分析的AIoT领域。

PCB 组装和焊接技术

PCB 组装和焊接之后的检查、测试和反馈确保了 PCB 能成功制造出来。在这篇文章中,我们将讨论 PCB 组装和焊接过程。

上海贝岭推出28V/3A的同步降压芯片BL8036

BL8036是一款500KHz开关频率,轻载高效的同步降压芯片。4.2V到28V的工作电压电压范围,3A的长时间工作的负载能力

南芯推出高效率同步降压开关转换IC

南芯推出新品同步降压开关转换IC — SC8105,该款芯片外部元件少,适合在紧凑型应用中使用。应用场景包括智能手机、机顶盒、笔记本电脑、服务器、SSD、内存电源、电池供电设备等。

星曜半导体发布超宽带Wi-Fi 6E BAW滤波器,实现与5G频段共存

本次星曜半导体发布的封装尺寸为1.4mm x 1.1mm的Wi-Fi 6E超宽带滤波器,其工作频率为5170MHz-7125MHz,工作频宽高达1955MHz,且与5G n79频段临近。

FORESEE 推出新一代UFS 3.1旗舰级高速闪存,移动性能实现飞跃

UFS 3.1作为FORESEE嵌入式存储新一代旗舰级产品,性能和传输延迟都得到了显著优化,写入速度最高可达1200MB/s,是上一代通用闪存存储的近3倍

IGBT安全工作区(SOA)知多少

今天,本文就和大家唠一唠IGBT的安全工作区。

高速 112G 设计和通道运行裕度

移动数据的迅速攀升,蓬勃发展的人工智能及机器学习(AI / ML)应用,和 5G 通信对带宽前所未有的需求对现有云数据中心的服务器、存储和网络架构形成了巨大压力。

三星推出首款24Gbps GDDR6显存 赋能下一代高端显卡

三星24Gbps GDDR6采用创新的电路设计,以及尽可能减少电流泄漏的高度先进的绝缘材料(高K金属栅极),速度与此前18Gbps产品相比提升30%。

PCB设计之高速电路

今天简单总结一下最基本的一些概念包括对高速电路的理解、什么是信号完整性还有信号的带宽等。

东芝电子推出采用压装式封装的快速恢复二极管——3000GXHH32

3000GXHH32有助于减小电源转换器的尺寸和功耗,适用于直流输电系统、静态无功补偿器和工业电机驱动系统等应用。

危机四伏,智能照明如何更好地实现智能语音?

这篇文章我们就着重聊一下智能语音照明系统现有的问题,以及贸泽电子上在售的电子元器件如何从硬件角度应对这些问题带来的挑战。

广和通5G模组FG360系列推出最新迭代版本,持续释放5G FWA商业价值

针对5G低频段的下行速率吞吐量受限问题,新一代FG360系列采用兼容5G低频段的4*4 MIMO预留设计,支持拓展LB 4*4能力,成倍提升5G低频段速率。

u-blox推出内置天线的SAM-M10Q低功耗GNSS定位模块

新款SAM-M10Q低功耗定位模块内置天线,赋能GNSS技术集成更便捷。

一种大功率PCB散热管理的方法

设计人员在满足系统尺寸、重量和功率等要求方面面临着越来越苛刻的挑战,其中包括有效的散热管理,这又从PCB的设计开始。

ABLIC推出S-82B4/B5系列和S-82C4/C5系列 4/5节电池串联用电池保护IC

温度保护功能、业界最少外部元件和业界最小级别封装,提高安全性并缩小电路板尺寸

Diodes Incorporated 推出完整的 PCIe 5.0 产品组合,将增加走线长度、将损耗程度降至最低及改善抖动性能

PI6CB332001A 是一款符合 Intel DB2000QL 规范的 20 输出扇出 PCIe 5.0 时钟缓冲器。以 PCIe 5.0 架构速度运行时,这款装置可实现最小的附加相位抖动,而典型值为 20fs RMS。

Vishay推出反射式光传感器——VCNT2025X01

器件采用小型2.5 mm x 2.0 mm x 0.6 mm FAM 封装,通过AEC-Q101认证,电流传输比达33 %,可在+110 ℃高温下工作

SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比

本文从MOSFET的寄生电容的角度,结合BOOST PFC电路对Si MOSFET和SiC MOSFET展开讨论。

1000h SiC MOSFET体二极管可靠性报告

目前SiC MOSFET体二极管的可靠性研究论文和报告较少,本文针对SiC MOSFET的体二极管可靠性进行研究。