FM101-NA可带来LTE Cat6无线网络体验,最高速率可达下行300Mbps, 上行50Mbps,提供高性能、低时延的网络;同时支持LTE-TDD、LTE-FDD、WCDMA 3种网络制式,满足多种网络切换需求。
2020年750V第四代SiC FET诞生时,它与650V第三代器件的比较结果令人吃惊,以6毫欧器件为例,品质因数RDS•A降了近一半,由于体二极管反向恢复能量,动态损耗也降了近一半。
PI7C9X3G1632GP 提供弹性的多端口及信道宽度组合,提高效能表现及可用性。此设计有助于系统处理人工智能/深度学习工作负载、数据储存设备、数据中心的服务器、无线/有线电信基础设施及各种现代化嵌入式硬件。
意法半导体的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)
盘点一下我们身边电子设备外壳上各式各样的接口,你可能会发现,它们的种类和数量正在减少。但与此同时有一个接口上镜的机会却越来越多,这个接口就是USB Type-C
与分立产品设计相比,IGBT IPM在易于设计、安全性、可靠性和节省空间等方面具有诸多优点。 IGBT IPM的可定制性较差,但其本质上的使用方法就是根据应用产品选择合适的IGBT IPM。
这些4.0 x 3.0 mm器件保护电池组免受过电流和过充(过电压)情况的影响。 创新的设计使用嵌入式保险丝和加热器元件,提供快速响应和可靠性能,在电池组过充或过热之前中断充电或放电电路。
在我们的工作中,经常会用到“dB”这个单位。比如插损,回波损耗,功率,我们经常会用xx dB,或者xx dBm 来描述。当然,对于同行来说,很容易理解你到底说的什么意思,但是对于外行来说,听起来就一脸懵逼:说的什么玩意?
VCXO(压控晶体振荡器)是一种晶体振荡器,其频率由晶体决定,但可以借助施加到输入端的外部控制电压进行调节或调谐。这种类型的XO(晶体振荡器)通常用于IC时钟发生器





