与 3200 MT/s 的上一代 DDR4 内存相比，DDR5 内存的起步频率提升了 50%、达到了 4800 MT/s，对注重高带宽的应用场景极具吸引力。

高密度互连 (HDI) 需求主要来自于芯片供应商。最初的球栅阵列封装 (BGA) 支持常规过孔。渐渐地，引脚变得更加密集。1.27 毫米的间距变成了 1 毫米，然后是 0.8 毫米，再到 0.65 毫米的中心距。

在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的门极电压规范。本文就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑，提供些有用的参考。

预计到 2035 年，全球车载 ECU 市场规模为 2198 万亿日元，而 2022 年预计为 89732 亿日元。截至 2021 年，每辆车上安装的 ECU 平均数量为 29.6 个，但预计到 2035 年将增加到 46.6 个。

MLX81346 不仅可以通过 12V 电源支持功率最高为 1000W 的运行，还可使用 48V 电源提供高达 2000W 的功率。

随着电子技术的快速发展，便携设备已渗透到人们生活的各个方面。以手机为例，当今社会生活已离不开手机的使用，从日常通讯到娱乐购物，甚至核酸检测[此处有表情]，不可否认，手机已经成为了最重要的工具。

功率薄/厚膜电阻是一种电阻产品，可在承受大电流时保持高稳定性能。同时，电阻在运行过程中会产生热量，因此散热需要热管理解决方案

Wi-Fi 作为最常用的一项互联网接入技术，与我们每个人的生活息息相关。尤其是过去两年，因为疫情的原因，越来越多的社会活动都从线下转到了线上，Wi-Fi 在其中发挥了巨大的作用

SMC3KxxxCAHM3_A系列器件 10/1000 μs 条件下浪涌性能高达3 kW，符合ISO 16750-2 Pulse b规范，22 V至120 V漏电流低至1 μA，工作温度达+175 ℃。

在EMC中，地线会引发干扰问题，所以很多时候分析干扰的时候会用示波器查看地线上的噪声，更多的时候我们发现地线上有干扰噪声，但是不知道怎么来的，也不知道如何解决。

东芝针推出全新TLP5702H轻薄型光耦，其厚度仅为2.3mm，工作温度可以高达125℃，以此来满足用户不同产品的场景需求。

我们必须提高对EMI问题的重视程度，在设计之初就考虑EMI问题，而这关键之处就在于必须从源头入手解决，本篇文章就教你如何搞定开关电源EMI。

GX112是一款高精度、低功耗、可替代NTC/PTC热敏电阻的数字温度传感器，在-40°C至+125°C的正常工作范围内，可提供≤±0.5°C的典型温度精度，并具有良好的温度线性度。

第四讲聚焦于被称为“下一代电池”的“全固态电池”，它具有锂离子电池相似的特点，我们将谈谈它与现在的锂离子电池的区别、所设想的用途和走向实用化的课题等。

Avantree的Quartet 在耳机和发射器中同时采用nRF52832 SoC器件，实现低延迟的远程音频传输

功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。我们一路追求单位芯片面积的输出电流能力，实现方法是

Magic Leap 2展示了REAL3™ 3D图像传感器的潜力。全新改进的IRS2877C飞行时间成像器可以捕捉到用户周围的物理环境，帮助设备理解环境并最终与环境互动。

C&K扩展其 KSC 产品系列, 新增了带塑胶触头和高达 300 万次操作寿命的成员。KSC11 采用硬塑胶触头, 在不牺牲其使用寿命的情况下, 具有高触感率。

本文主要针对驱动电压Vgs和栅极电压阈值Vgs(th)本身对SiC MOSFET在使用过程中的影响做出讨论。

本文谈谈锂电池发明获得诺贝尔奖的事儿以及锂离子电池的普及史。