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基于极海APM32E030的磁电式绝对值编码器参考方案，加速工业智能化转型

该方案是基于 APM32E030基础拓展型MCU 设计的 17 位磁电式绝对值编码器，适用于角度位置检测的应用场景

提供1.9A拉电流和2.3A灌电流输出，以实现稳健的栅极驱动性能并提高开关效率

艾迈斯欧司朗研发的PLT5 488HB_EP蓝绿光激光二极管实现300mW输出功率，其光学性能较前代产品提升五倍，电光转换效率提高逾40%。

Canalys（现并入 Omdia）的最新数据显示，2025年第一季度，全球平板电脑出货量同比增长8.5%，达到3680万台。

2025-05-12 | 平板电脑

紧凑型接收器为大众市场解锁了全球高精度导航，总拥有成本比传统解决方案低90%。

纳微最新一代650V与1200V“沟槽辅助平面栅”碳化硅MOSFET，搭配优化的HV-T2Pak顶部散热封装，实现行业最高6.45mm爬电距离，可满足1200V以下应用的IEC合规性。

在边缘AI盛行的背景下，UFS 4.0嵌入式存储正逐渐成为人形机器人数据处理链条中的关键一环。

SC1200IOT采用1/3.57"靶面设计，具备1μm像素尺寸，其封装尺寸小至5.1毫米x3.7毫米，能够很好地适用于主流AI眼镜边框视觉模块的微型摄像头

纳芯微推出的MT72xx系列高可靠2线电流型霍尔开关产品，可在保证信号传输完整性的同时，有效减少线束数量，降低线束成本和系统布线复杂度

新产品ST25R500/501用于汽车数字钥匙和车载无线充电器，体积小巧，低功耗读卡距离增加70%。

纳芯微推出NSD3602-Q1系列双通道半桥栅极驱动芯片，提供2路半桥驱动，可驱动1路直流有刷电机或者1-2路电磁阀。

SGMNQ36430 的主要特性包括低导通电阻和低栅极电荷。在 VGS = 10V 时，其导通电阻典型值为 2.9mΩ，最大值为 3.6mΩ，能够有效减少功率损耗

本次国芯科技与信大壹密联合研发成功的抗量子密码芯片AHC001是基于国产28nm工艺制程、采用公司自主CPU内核设计的一款可重构低功耗抗量子密码算法芯片

基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富

在保持小尺寸的同时，提供出色的散热性能