圣邦微电子推出 SGMNQ36430，一款 30V 单 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件可应用于 CPU 电源传输、DC/DC 转换器、功率负载开关以及笔记本电池管理等领域。
SGMNQ36430 的主要特性包括低导通电阻和低栅极电荷。在 VGS = 10V 时，其导通电阻典型值为 2.9mΩ，最大值为 3.6mΩ，能够有效减少功率损耗。同时，总栅极电荷仅为 22.7nC（VGS = 10V），有助于降低开关过程中的能量损失。此外，其封装尺寸为 3.3×3.3mm²，较为紧凑，适合在有限的 PCB 空间内使用。产品符合 RoHS 标准且无卤素，满足环保要求。
在性能参数方面，SGMNQ36430 的最大漏源电压为 30V，最大漏极电流在外壳温度 25℃ 时可达 75A，在 100℃ 时为 47A。脉冲漏极电流最高为 160A，适用于短时高电流脉冲场景。其雪崩电流为 38A，雪崩能量为 72.2mJ，能够在一定程度上承受反向恢复过程中的能量冲击。SGMNQ36430 采用符合环保理念的 PDFN-3.3×3.3-8L 绿色封装，工作温度范围为 -55℃ 至 +150℃，存储温度范围相同，适应多种工作环境。
电气特性方面，器件的漏源击穿电压不低于 30V，零栅极电压时漏极电流小于等于 1µA，栅极漏电流在 ±20V 的 VGS 下小于等于 100nA。栅极阈值电压在 1.2V 至 2.2V 之间，确保稳定的开关控制。动态特性上，输入电容为 1028pF，输出电容为 876pF，反向转移电容为 57pF，这些参数决定了其在高频开关应用中的性能表现。
图 1 SGMNQ36430 等效电路
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