Kioxia与Sandisk推出下一代3D闪存技术,实现4.8Gb/s的NAND接口速度
judy -- 周五, 02/21/2025 - 10:58
新的3D闪存的NAND接口速度将比目前正在大规模生产的第八代3D闪存提高33%,达到4.8Gb/s的接口速度。该技术还能提升数据输入/输出的电源效率,使输入功耗降低10%
新的3D闪存的NAND接口速度将比目前正在大规模生产的第八代3D闪存提高33%,达到4.8Gb/s的接口速度。该技术还能提升数据输入/输出的电源效率,使输入功耗降低10%
通过UFS 4.0,智能手机在执行AI任务时能够以更低的延迟和更高的效率处理数据,这不仅改善了用户体验,还为更加复杂和多样化的AI应用场景提供了可能。
与上一代器件相比,新的 Kioxia 器件的连续和随机写入性能提高了约 2.5 倍,随机读取性能提高了约 2.7 倍。
Kioxia发布通用闪存(UFS) 3.1版嵌入式闪存设备。该设备采用了其创新的每单元4字节的四层存储单元(QLC)技术。铠侠的QLC技术能够在单个封装中实现极高的存储密度,满足高端智能手机等需要高存储密度的应用需求。