AEC Plus!纳微HV-T2Pak顶部散热封装碳化硅MOSFETs重新定义车规可靠性 judy / 周五, 9 五月 2025 - 16:53 纳微最新一代650V与1200V“沟槽辅助平面栅”碳化硅MOSFET,搭配优化的HV-T2Pak顶部散热封装,实现行业最高6.45mm爬电距离,可满足1200V以下应用的IEC合规性。 阅读更多 关于 AEC Plus!纳微HV-T2Pak顶部散热封装碳化硅MOSFETs重新定义车规可靠性登录 发表评论