Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性
judy -- 周五, 06/28/2024 - 15:35器件采用MPS结构设计,额定电流5 A~ 40 A,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低
器件采用MPS结构设计,额定电流5 A~ 40 A,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低
Nexperia提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封装的额定电流为6 A、16 A和20 A的工业级器件,以提高设计灵活性
Nexperia今日宣布,现可提供采用CFP3-HP封装的22种新型平面肖特基二极管产品组合
肖特基二极管与普通二极管有什么区别,有哪些参数与特点我们需要留意。本文分享那些电感容易忽略关键参数。
本文介绍Nexperia(安世半导体)如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起,以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。
器件采用MPS结构设计,额定电流4 A~ 40 A,正向压降、电容电荷和反向漏电流低
如何开发出有效的边缘终端结构,缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。
近年来,随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及,应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。
电源开发通常是一个艰难的过程。无论是用于交流电设备还是便携式设备,用户都期望电源达到很高的效率,同时尽可能保持小巧紧凑。
本文介绍普通硅二极管与肖特基二极管区别