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村田开发了一种在达到了世界超高水平精度的6轴MEMS惯性传感器，噪声低而且输出稳定。

INN060FQ043A 采用 FCQFN 3mm*4mm 封装，导通电阻 4.3mΩ，在与 40V InnoGaN（INN040FQ043A）封装尺寸及导通电阻保持一致的基础上，将耐压等级提升到60V

CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。

连接标准联盟产品安全工作组很高兴地宣告发布其物联网设备安全规范1.0，以及附带的认证计划和产品安全验证标志。

面对GaN在消费电子领域应用现状，相关企业开始寻求新的增量市场，GaN技术应用由此逐步向新能源汽车、光伏、数据中心等其他应用场景延伸

本文将重点介绍电动汽车牵引逆变器中使用的电容器。