氮化镓（Gallium Nitride，简称GaN）是一种化合物半导体材料，由镓（Ga）和氮（N）元素组成。它具有一些重要的电子特性，使其在电子器件和半导体应用中具有广泛的用途。
总的来说，氮化镓是一种具有出色电子性能和热性能的半导体材料，广泛应用于高性能电子器件和半导体行业中。随着技术的不断进步，预计其在各种领域中的应用将继续扩展。
该芯片采用SIP封装技术，内置硬件加速引擎、高速接口、PWM信号阵列可编程单元及边缘图像处理和各类传感器及生物信息采集的高速接口。
在开关模式电源中使用GaN开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况，提到了所面临的挑战
英飞凌最新推出的650V G5 CoolGaN™晶体管系列专为直接替代现有产品而设计，为现有平台提供了无缝升级路径，帮助设计人员快速实现重新设计
本文将探讨德州仪器的 UCG28826 集成 GaN 反激式转换器如何帮助您克服交流/直流适配器设计难题。
英飞凌全新一代的氮化镓产品CoolGaN™ G3和CoolGaN™ G5系列震撼来袭！采用英飞凌自主研发的高性能200mm晶圆工艺制造，将氮化镓的应用范围扩大到40V至700V
德州仪器采用当前先进的 GaN 制造技术，现启用两家工厂生产 GaN 功率半导体全系列产品
本文回顾了氮化镓的发展历程，并介绍了意法半导体MasterGaN产品系列和解决方案
在电子工程领域，向更高工作电压发展的趋势是由各种应用中对提高效率和功率密度的需求所推动的。
本文将探讨氮化镓材料以及氮化镓技术如何颠覆整个行业。
INN060FQ043A 采用 FCQFN 3mm*4mm 封装，导通电阻 4.3mΩ，在与 40V InnoGaN（INN040FQ043A）封装尺寸及导通电阻保持一致的基础上，将耐压等级提升到60V