氮化镓（Gallium Nitride，简称GaN）是一种化合物半导体材料，由镓（Ga）和氮（N）元素组成。它具有一些重要的电子特性，使其在电子器件和半导体应用中具有广泛的用途。
总的来说，氮化镓是一种具有出色电子性能和热性能的半导体材料，广泛应用于高性能电子器件和半导体行业中。随着技术的不断进步，预计其在各种领域中的应用将继续扩展。
该系统即将在现实环境中进行一系列测试，据信测试结果将超出预期，从而提高整个汽车动力系统的效率。
GaN产业已经建立一套方法来保证GaN产品的可靠性，因此问题并不在于“GaN是否可靠？”，而是“如何验证GaN的可靠性？”
新型50mOhm SuperGaN场效应晶体管简化并加快基于氮化镓的高功率系统的开发，适用于数据中心和广泛工业应用
Transphorm推出七款参考设计，旨在加快基于氮化镓的USB-C PD电源适配器的研发。该参考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项，覆盖多种拓扑结构、输出和功率。
对于任何半导体来说，封装对于电气隔离、产品稳健性和热管理都很重要。尤其是对于功率半导体来说，这是至关重要的。
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本章将深入探讨氮化镓 (GaN) 技术 ：其属性、优点、不同制造工艺以及最新进展。这种更深入的探讨有助于我们了解 ：为什么 GaN 能够在当今这个技术驱动的环境下发挥越来越重要的作用。