AEC Plus!纳微HV-T2Pak顶部散热封装碳化硅MOSFETs重新定义车规可靠性
纳微最新一代650V与1200V“沟槽辅助平面栅”碳化硅MOSFET,搭配优化的HV-T2Pak顶部散热封装,实现行业最高6.45mm爬电距离,可满足1200V以下应用的IEC合规性。
探索MLCCs规格尺寸的演变:从过去到未来
<p>电子元件、组件、设备及用品协会(ECA)持续推进无源元件与机电元件(IP&E)相关标准的制定工作,对直接元件标记、数据建模、颜色编码以及包装等具体细节进行严格监督</p>
思特威推出1200万像素AI眼镜应用CMOS图像传感器
SC1200IOT采用1/3.57"靶面设计,具备1μm像素尺寸,其封装尺寸小至5.1毫米x3.7毫米,能够很好地适用于主流AI眼镜边框视觉模块的微型摄像头
圣邦微电子推出 30V 单 N 沟道功率 MOSFET SGMNQ36430
SGMNQ36430 的主要特性包括低导通电阻和低栅极电荷。在 VGS = 10V 时,其导通电阻典型值为 2.9mΩ,最大值为 3.6mΩ,能够有效减少功率损耗
国芯科技与信大壹密联合推出抗量子密码芯片,助力新时代数字经济安全发展
本次国芯科技与信大壹密联合研发成功的抗量子密码芯片AHC001是基于国产28nm工艺制程、采用公司自主CPU内核设计的一款可重构低功耗抗量子密码算法芯片
PI 的1700V开关IC为800V纯电动汽车提供可靠性和节省空间的优势
Power Integrations的1700V额定耐压的SiC恒压/恒流InnoSwitch3-AQ开关电源IC可提供高达120W的输出功率





