技术
<p><strong>1、为何产品要进行电气安规测试?</strong></p>
<p>这是许多产品制造商最想问的一个问题，当然最普遍的回答是“因为安规标准中有规定。”若您能深入了解电气安规的背景，便会发现它背后所隐含的责任与意义。电气安规测试虽然在生产线占了一点时间，但它却能让您降低产品因电气危害而回收的风险，第一次就做对，才是降低成本并维护商誉的正确方法。</p>
<p><strong>2、何谓电气伤害(Electrical Shock)? </strong></p>
<p>作者：赵佳，来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/KmEAq6nnE5rKW35GQJNA4A">英飞凌工业半导体 </a></…;
<p>在IGBT数据手册中，显眼的位置都会给出最大额定电压的定义，例如：</p>
<p>文章来源： <a href="https://mp.weixin.qq.com/s/x-lT6hinjeQUlh76NkzDqg">得捷电子DigiKey</a></p>
<p>问：电感（线圈）的Q值</p>
<p>Q值是指示电感质量的参数。“Q” 代表 “品质因子” 。线圈通直流电，但充当交流电的电阻，称为感抗。交流电的频率越高，感抗就越高。</p>
<p>功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS，交流静态开关，SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘来自英飞凌《双极性半导体技术信息》。</p>
<p><strong>3.5 功率耗散（损耗）</strong></p>
<p>对晶闸管和二极管而言，耗散（或损耗）分为断态、通态、开通和关断损耗这几类。晶闸管还有控制损耗。在规定冷却条件下，这些损耗的总和决定了器件的载流能力。</p>
<p><em>作者：Steven Martin，电池充电器设计经理，ADI公司</em></p>
<p><strong>引言</strong><br />
处理电源电压反转有几种众所周知的方法。最明显的方法是在电源和负载之间连接一个二极管，但是由于二极管正向电压的原因，这种做法会产生额外的功耗。虽然该方法很简洁，但是二极管在便携式或备份应用中是不起作用的，因为电池在充电时必须吸收电流，而在不充电时则须供应电流。<br />
另一种方法是使用图1所示的MOSFET电路之一。</p>
<p>当信号从输入侧传输至输出侧时，光耦是一种即使在电气隔离状态下也能在电路之间传输信号的器件。在光耦内部，通过使用发光器件将电输入信号一次转换为光信号，然后使用光电检测器件将光信号转换为电信号之后再将其输出。在FA、OA以及家用电子设备中，不同的直流和交流电源系统均安装在同一块电路板中，信号在这些系统之间传输。如果直接连接这些系统，操作时可能会出现安全问题。通过使用光耦，即使在这种情况下，也可在电气隔离状态下传输信号。</p>
<p>现代工业对电力电子设备提出了很多要求：体积小、重量轻、功率大、发热少。面对这些要求，Si MOSFET因Si材料自身的限制而一筹莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天优势开始大显神通。SiC MOSFET大规模商用唯一的缺点就是价格。但随着良率的提升和采用更大尺寸的晶圆，SiC与Si之间的成本差距正在收窄，在整车系统总体成本反而有明显的优势。SiC MOSFET替代Si MOSEFET成为越来越多的厂家的新选择。</p>
<p>SiC MOSFET的驱动与Si MOSFET的区别之一是驱动电压不同，传统Si MOSFET驱动只要单电源正电压即可，而SiC MOSFET需要单电源正负压驱动。SiC MOSFET要替代Si MOSFET，就要解决负压电路如何实现的问题。</p>
<p>基于各种MOSFET结构的特性和主要应用如表3-2所示。</p>
<ul>
<li>耐受电压：选择目标耐受电压的最佳结构。</li>
<li>低导通电阻：U-MOS适用于250V及以下产品，SJ-MOS（或DTMOS）适用于大于250V的产品。</li>
<li>高电流：与低导通电阻的趋势相同。</li>
<li>高速：U-MOS由于栅极容量（Ciss）大，不利于高速开关。</li>
</ul>
<p>文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/IH6h1d0MPrfA9URmW_2Syg"> 亚德诺半导体</a></p&…;
<p>开关电源通常使用电感来临时储能。在评估这些电源时，测量电感电流通常有助于了解完整的电压转换电路。但测量电感电流的最佳方法是什么？</p>
<p>作者： 卓晴，来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/zdDuZtUNgY3fFHbhFpNgwg">TsinghuaJoking</a></…;
<p>简 介： 如果你是一个急性子的电子狂热者，那么快速PCB制作是一个可以让你把硬件开发变得和软件开发一样容易的技术。掌握它，可以事半功倍，抚平你那躁动的狂野心灵。</p>
<p>作者：卓晴，来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/xWy7fzVBwyShiHnDQx2bOw">TsinghuaJoking</a></…;
<p>作者：陈虎，来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/cN6UvpvZxTXsw3V-BuM3jg">凡亿PCB</a></p>
<p>（1）SJ-MOS在N层具有柱状P层（P柱层）。P层和N层交替排列。（参见图3-9（b））<br />
（2）通过施加VDS，耗尽层在N层中扩展，但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中不同。（关于电场强度，参见图3-9（a）／（b）。电场强度将表示耗尽层的状态。<br />
（3）如果是D-MOS的情况，电场强度在P／N层接口处最强。当电场强度超过硅的极限时，会发生击穿现象，这就是电压极限。另一方面，如果是SJ-MOS的情况，电场强度在N层中是均匀的。<br />
（4）所以，SJ-MOS可采用具有较低电阻的N层设计，以实现低导通电阻产品。<br />
采用与DMOS相同尺寸的芯片，SJ-MOS可以实现更低的导通电阻。</p>
<p>文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/KNpnA5cn0TWHN6kucjkP7A" id="js_name">罗姆半导体集团</a></p>
<p>本文先介绍使用通用电源IC实现电源时序控制电路中，电源导通时的时序工作。</p>
<p><em>作者： 卓晴，文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/X0L6BxhAfO_l4FJsD70Gdg">TsinghuaJoking</a></…;
<p><em>作者：李义君，来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/-KpC21RyHUf0Ejcj-JwP_w">韬略科技EMC</a></em></p&…;
<p>针对MOSFET的最大问题，我们正采取以下对策：“如何有效利用元件面积以有效降低导通电阻”</p>
<p>（1）高电压：下一页将介绍通过先进的超结工艺降低Rdrift电阻。<br />
（2）低电压：通过对沟槽结构的精细图形化可最大限度降低Rch电阻，采用薄晶片降低Rsub电阻。</p>
<p>在单片机中晶振是普遍存在的，那么晶振为什么这么必要，原因就在于单片机能否正常工作的必要条件之一就是时钟电路，所以单片机就很需要晶振，打个比方来说：晶振好比单片机的心脏，如果没有心脏起跳，单片机无法工作，晶振值越大，单片机运行速度越快，有时并不是速度越快越好，对于电子电路而言，速度够用就是最好，速度越快越容易受干扰，可靠性越差！下面小编带你了解整个晶振的原理以及晶振电路的构造。</p>
<p>本文转载自：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/PRFHVEEkedR9f0e0JUXq1w">英飞凌工业半导体</a></p>
<p>功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS，交流静态开关，SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘来自英飞凌《双极性半导体技术信息》。</p>
<p>对电路进行分析的方法很多，如叠加定理、支路分析法、网孔分析法、结点分析法、戴维南和诺顿定理等。根据具体电路及相关条件灵活运用这些方法，对基本电路的分析有重要的意义。现就具体电路采用不同方法进行如下比较。</p>
<p><strong>01支路电流法</strong></p>
<p>支路电流法是以支路电流为待求量，利用基尔霍夫两定律列出电路的方程式，从而解出支路电流的一种方法。</p>
<p><strong>一支路电流分析步骤</strong></p>