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关于三极管，我相信每个搞硬件的应该都有看过基本原理，现在我们算是温故而知新，那么最好是带着问题去看。

电压跟踪器是一种向 VOUT 引脚输出电压的 IC，该电压等同于输入到 ADJ 引脚的电压 (VADJ)。它被称为电压跟踪器，是因为它跟踪 ADJ 引脚的电压输入。这种 IC 主要用作分离式传感器的电源。

从本文开始，我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”。

硬件工程师，应该都用过二极管的吧，不过也许有一个误区，大多数人可能并不知道，或者说是理解有问题，下面就来细细说下。

在平时中，我个人经常遇到的推挽电路是第一种。当我每次问身边的工程师：“为什么不选择使用第二种？第二种是上P下N型，这样的管子在实际中用起来，理论中比上N下P型更有优势呀。

近日，来自Yole Développement及其旗下咨询公司System Plus Consulting的两位分析师共同对谷歌最新推出的5G Pixel 6进行了拆解和研究

电源设计者如今面临两个主要问题：消除有害的输入谐波电流和确保功率因数尽可能地接近于1。有害的谐波电流会导致传输设备过热，并带来后续必须解决的干扰难题

在本篇文章中，我将从不同方面深入介绍降压、升压和降压-升压拓扑结构。  

0欧电阻相当于很窄的电流通路，能够有效地限制环路电流，使噪声得到抑制。

我们的Digi-Key工程师经常收到客户这样的问题：如何从没有额定电压标记的铝电解电容上确认它的额定电压?

本文中的光耦振荡电路则是利用了电流转移系数大于1所带来的电流增益而工作的。通过对PC851、TLP521的电流转移系数的测量，获得了它们电流增益随着工作电流不同变化情况，也验证了光耦震荡电流的工作原理。

前几篇文章我们讨论了关于，基本半导体和本征半导体的关系以及将本征半导体中掺入，不同的杂质，会出现不一样的物理现象。但仅仅这样好像对电路进步没有太大的作用。如果将这两个杂质半导进行结合呢？

近年来，人们对固态断路器和固态功率控制器的兴趣越来越浓厚。鉴于SiC JFET在高额定电压下具有低开态电阻而且它在需要时进行限流的能力毫不逊色，它们一直被视为此应用的理想器件。我们调查了常关型SiC FET在双栅极结构中的使用情况，以简化大电流直流断路器和交流断路器的开发

今天给大家分享一个串扰引发损耗变大的问题。这类问题经常出现在小型化的产品、连接器、线缆等产品中。

SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽结构可以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低

机械断路器损耗低，但是速度慢而且会磨损。采用SiC FET的固态断路器可以解决这些问题且其损耗开始降低。

<p><b>C_iss、C_rss和C_oss的电容特性是影响MOSFET开关特性的重要因素。</b></p>

<p><b><u>C_iss：输入电容（C_iss＝C_gd＋C_gs）</u></b></p>

<p>集成运算放大器是采用一定制造工艺将大量半导体三级管、电阻、电容等元件以及它们之间的连线制作在同一小块单晶硅的芯片上，并具有一定功能的电子电路。</p>

<p><img alt="运算放大器线性应用" data-entity-type="file" data-entity-uuid="15cbc0b9-7b0d-40d6-8383-46e6901c8c2c" src="/sites/default/files/inline-images/1_239.png" /></p>

<p>毫米波雷达为汽车和工业应用提供了一种主要的感应方式，即使在恶劣的环境条件下，它也能够远距离、以出色的角度和速度精度检测距离为几厘米至几百米的物体。</p>

<p>典型的雷达传感器包含一个雷达芯片组以及其他电子元件，例如电源管理电路、闪存和接口外设，所有这些都装配在一个印刷电路板(PCB)上。发送天线和接收天线通常也在PCB上实现，但要提高天线性能，则需要使用高频基板材料（例如Rogers RO3003），而这会增加PCB的成本和复杂性。此外，天线可能会占用多达30%的布板空间（图1）。</p>

<p>AC/DC转换有变压器方式和开关方式。本节介绍变压器方式。</p>

<p><strong>变压器方式</strong></p>

<p>这是普通AC/DC转换器的变压器方式电路结构。</p>