技术

EMC概述(3)——什么是电磁兼容性(EMC)?

对于电磁敏感性(EMS)来说,电源电压下降是影响因素之一。5V逻辑和0.9V逻辑相比,它们的H电压和L电压之间的电压差(VIH/VIL)完全不同。如果电源电压低,对电磁噪声的抵抗力就会降低。

使用最新的SiC FET技术提升车载充电器性能

碳化硅FET已经在车载充电器(OBC)电路领域确立了自身地位,尤其是在电池工作电压超过500V的情况下。这些器件的低功率损耗使得穿孔封装和表面安装式封装都可以用于此应用。

简化下一代物联网应用的雷达开发

在本文中,我们将提供一些毫米波雷达传感解决方案优化成本的见解,分享新产品创意的真实案例,并探索实际的电路板设计以加快开发速度。

一文了解相控阵天线中的真时延

市场越来越需要更快、更可靠的通信网络,而宽带通信系统正在努力满足这一需求。带宽越高,通信数据速率就越快。但是,在宽带通信中,由于信号在宽频谱上的分布,发射和接收信号都很困难。

圆形连接器选型:几个容易让人“困惑”的术语

我们经常收到关于圆形连接器的查询,但对于一些希望搜寻到合适连接器的人来说,圆形连接器的术语或许会让他们感到困惑。本文将会对一些相关的圆形连接器术语进行解释说明,以利于大家的产品选项。

汽车用3端子低ESL片状多层陶瓷电容器有哪些特点?

你知道为什么村田NFM系列三端子MLCC更适用于汽车(传动设备)应用呢?汽车(传动设备)用3端子低ESL片状多层陶瓷电容器有哪些特性?

电源额定值与测量技术的使用

正在学习电子学的人似乎常常对电源的额定值感到困惑。在我认为一个典型的交流/直流壁挂式电源应该有准确的输出电流值打印在标签之前,曾和一些人聊过这个问题。

GaN 技术的过去和现在

本书提供了牢固的 GaN 基础知识。它着眼于技术和 GaN 实现的驱动因素,以帮助您了解普及 GaN 的益处。它还调查了目前各行各业使用 GaN 的成熟和前沿应用。

如何避免功率MOSFET发生寄生导通?

该文描述了引起功率MOSFET发生寄生导通的机制,并进一步指出为了避免寄生导通,在选取MOSFET时应遵循什么准则。

四种接近传感器PK,谁能胜出?

主流接近传感器技术有多种,每种技术都有非常不同的工作标准,在确定检测、距离或接近方面有着不同的优势。本文概要性介绍了紧凑、固定的嵌入式系统的四种可能方案及其基本工作原理,以帮助工程师根据自己的设计要求确定选择哪一种。

充分挖掘SiC FET的性能

功率转换器的性能通常归结到效率和成本上。实际示例证明,在模拟工具的支持下,SiC FET技术能兼顾这两点。

普通硅二极管与肖特基二极管,究竟有何异同?

本文介绍普通硅二极管与肖特基二极管区别

关于实现增强式 eCall 汽车设计,工程师需要了解什么

在本博客文章中,我们将回顾系统设计人员如何进行汽车应用设计,以及新型 eCall 解决方案如何优化整个平台。我们还将分享一些射频设计专业知识和集成解决方案,帮助应对 eCall 应用中一些严苛的产品挑战。

如何设计小型USB-C PD和PPS适配器

对于产品设计工程师来说,如何提升产品竞争力是他们面对的核心挑战。充电器和适配器要越做越小;能够为智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备提供完整的USB-C功率传输(PD)、数字控制电源(PPS)功能;充电时间要越来越短。

电容在ESD测试整改中的妙用

在ESD测试中,我们会遇到一些比较明显的测试现象,比如机器重启或者屏幕闪屏,而这些现象有时候只需要加一个电容就能解决。本篇文章就电容的这个妙用进行探讨分析

一键解锁!晶体管结构工艺发展历程

从人工智能(AI)到5G、物联网(IoT)、再到自动驾驶汽车,半导体不知不觉已经成为第四次工业革命时代的核心技术之一。随着半导体技术的先进化和复杂化,半导体工艺也在快速发展。

IGBT和MOSFET该用谁?你选对了吗?

在实际应用中,工程师们都会遇到一个相同的困惑:器件的选型着实令人头疼。对此,小编感同身受。今天,我们就一起来看看MOSFET和IGBT之间的有哪些异同点,在选型时应着重查看哪些参数。

利用 HEMT 和 PHEMT 改善无线通信电路中的增益、速度和噪声

用于无线通信放大器和转换器的有源器件需要具备高增益、高速度和低噪声的特点。当用于放大器和转换器的元件表现出这些增强的特性时,系统的性能会自动提升。

PCB上的光电元器件为什么总失效?

PCB作为各种元器件的载体与电路信号传输的枢纽,已经成为电子信息产品的最为重要而关键的部分,其质量的好坏与可靠性水平决定了整机设备的质量与可靠性。

硅光电倍增管用于直接飞行时间测距应用(一):直接ToF测距系统的设计

本白皮书旨在协助开发基于硅光电倍增管(SiPM)的激光雷达(LiDAR,光探测和测距)系统。