技术

在自动驾驶的进程中，汽车配备了越来越多的传感器。相比使用其他测量原理和技术的传感器，基于霍尔效应的磁场传感器拥有诸多优势。

在各家VR产品厂家的设计方案中，大多数VR眼镜多是内置锂电池的无线设备。而锂电池恰恰是VR设备自身安全性的最大短板。

分享本文，从射频界面、小的期望信号、大的干扰信号、相邻频道的干扰四个方面解读射频电路4大基础特性，并给出了在PCB设计过程中需要特别注意的重要因素。

没有时间？那就从这里开始吧！这个快速列表概述了这本书的要点。

本文将回顾工业应用中的信号调节要求以及设计人员需要关注的问题。接下来，将介绍ON Semiconductor的高性能零漂移运算放大器解决方案，并说明为什么以及如何将其用于满足工业信号调节要求

电感功耗包括线圈损耗和磁芯损耗两个基本因素，线圈损耗归结于线圈的直流电阻(DCR)，磁芯损耗归结于电感的磁特性。

本章将探讨如何将氮化镓 (GaN) 用于现有的和新的军事、航天和商业应用中。随着技术进步，GaN 越来越受工程师的青睐。在本章，我们将深入了解 GaN 有望处于领先地位的一些新应用和行业。

根据Buck电路的几个工作阶段，我们分别讨论MOSFET的损耗

您的第一辆汽车也许就像我的一样，缺少摄像头、雷达和激光雷达等传感器模块，而正是这些模块使得现代高级驾驶辅助系统 (ADAS) 的安全特性（如盲点检测、泊车辅助和防撞）成为可能。

本文介绍微控制器的五要素

啸叫是指听到来自PCB板的类似“叽”或“吱”声音的现象。例如，听说有的便携设备用的廉价充电器发出相当大的啸叫音。

PE42545 单刀四掷开关采用倒装芯片形式，最高可支持67 GHz，PE42525 单刀双掷开关最高可支持60 GHz。PE42546 单刀四掷开关采用小型3 x 3mm LGA 封装设计，最高可支持45 GHz频率。

本章将深入探讨氮化镓 (GaN) 技术 ：其属性、优点、不同制造工艺以及最新进展。这种更深入的探讨有助于我们了解 ：为什么 GaN 能够在当今这个技术驱动的环境下发挥越来越重要的作用。

本文针对QC／T-1067-2017标准带来全面解析。

当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。

本文是有关先进驾驶辅助系统(ADAS)的发展历史系列文章的第一部分。本系列由多个部分组成，将回顾各种不同系统的说明。

对于电磁敏感性（EMS）来说，电源电压下降是影响因素之一。5V逻辑和0.9V逻辑相比，它们的H电压和L电压之间的电压差（VIH/VIL）完全不同。如果电源电压低，对电磁噪声的抵抗力就会降低。

碳化硅FET已经在车载充电器（OBC）电路领域确立了自身地位，尤其是在电池工作电压超过500V的情况下。这些器件的低功率损耗使得穿孔封装和表面安装式封装都可以用于此应用。

在本文中，我们将提供一些毫米波雷达传感解决方案优化成本的见解，分享新产品创意的真实案例，并探索实际的电路板设计以加快开发速度。

市场越来越需要更快、更可靠的通信网络，而宽带通信系统正在努力满足这一需求。带宽越高，通信数据速率就越快。但是，在宽带通信中，由于信号在宽频谱上的分布，发射和接收信号都很困难。