技术

为了大大减少开通损耗，英飞凌为TRENCHSTOP™ 5系列的器件引入了TO-247 4pin封装。这种封装多了一个额外的发射极引脚，称为开尔文发射极，专门用于驱动回路。

将积层贴片压敏电阻、齐纳二极管等ESD保护元件安装在ESD发生源附近可有效地应对ESD。然而，ESD的侵入路径很难确定，这就导致了所安装的ESD保护元件没有发挥其原有实力的情况时常发生。

在交流电路中，由电源供给负载的电功率有两种：一种是有功功率，一种是无功功率。电压电流同相位，电源向负载供电，负载把电能转换成其他能量，叫有功。

本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况。

在车载领域，车载ADAS ECU、Autonomous ECU等伴随着高度图像处理的系统的CPU、FPGA等随着系统的高性能、高功能化，需要高速动作以及大电流驱动。 另外，在ICT领域，服务器等需要庞大电力的成套设备需要支持大电流化的电源构成。

本文将介绍在SiC MOSFET这一系列开关动作中，SiC MOSFET的VDS和ID的变化会产生什么样的电流和电压。

本文主要讲述了常见的开关电源拓扑结构特点和优缺点对比。

本文将针对上一篇文章中介绍过的SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。

各类型二极管都会有一种称为「储存电荷」(storage charge)的特性，其效应是当二极管在正向传导模式(forward conduction mode)乘载电流时，会让电流发生并非立即出现的停止流动情况，其中各种关断状态值得探究。

本文详细介绍了PCB板中模拟电路和数字电路共地和不共地的区别。

随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在不断地创新。目前，开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备，是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。

在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。

本文介绍了LDO的基本概念以及LDO噪声。

欧洲新车安全评鉴协会(NCAP)近期更新了其雷达标准，以便在新车中改善驾驶辅助功能。NCAP标准因地区而异；在美国，NCAP由国家公路交通安全管理局（又称为NHTSA）管理，而全球NCAP则是一个集中型组织。但是，所有组织都有着共同的目标

关于三极管，我相信每个搞硬件的应该都有看过基本原理，现在我们算是温故而知新，那么最好是带着问题去看。

电压跟踪器是一种向 VOUT 引脚输出电压的 IC，该电压等同于输入到 ADJ 引脚的电压 (VADJ)。它被称为电压跟踪器，是因为它跟踪 ADJ 引脚的电压输入。这种 IC 主要用作分离式传感器的电源。

从本文开始，我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”。

硬件工程师，应该都用过二极管的吧，不过也许有一个误区，大多数人可能并不知道，或者说是理解有问题，下面就来细细说下。

在平时中，我个人经常遇到的推挽电路是第一种。当我每次问身边的工程师：“为什么不选择使用第二种？第二种是上P下N型，这样的管子在实际中用起来，理论中比上N下P型更有优势呀。

近日，来自Yole Développement及其旗下咨询公司System Plus Consulting的两位分析师共同对谷歌最新推出的5G Pixel 6进行了拆解和研究