技术

栅极型推挽电路为什么不用上P下N

在平时中，我个人经常遇到的推挽电路是第一种。当我每次问身边的工程师：“为什么不选择使用第二种？第二种是上P下N型，这样的管子在实际中用起来，理论中比上N下P型更有优势呀。

谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波

近日，来自Yole Développement及其旗下咨询公司System Plus Consulting的两位分析师共同对谷歌最新推出的5G Pixel 6进行了拆解和研究

在单个封装中提供完整的有源功率因数校正解决方案

电源设计者如今面临两个主要问题：消除有害的输入谐波电流和确保功率因数尽可能地接近于1。有害的谐波电流会导致传输设备过热，并带来后续必须解决的干扰难题

深入介绍3种拓扑结构：降压、升压和降压-升压

在本篇文章中，我将从不同方面深入介绍降压、升压和降压-升压拓扑结构。

电路设计中零欧姆电阻的作用

0欧电阻相当于很窄的电流通路，能够有效地限制环路电流，使噪声得到抑制。

确定电容额定电压：如何读懂电容外壳上的“密码”？

我们的Digi-Key工程师经常收到客户这样的问题：如何从没有额定电压标记的铝电解电容上确认它的额定电压?

有趣的光耦振荡器

本文中的光耦振荡电路则是利用了电流转移系数大于1所带来的电流增益而工作的。通过对PC851、TLP521的电流转移系数的测量，获得了它们电流增益随着工作电流不同变化情况，也验证了光耦震荡电流的工作原理。

电子学中的百科书-二极管的诞生计

前几篇文章我们讨论了关于，基本半导体和本征半导体的关系以及将本征半导体中掺入，不同的杂质，会出现不一样的物理现象。但仅仅这样好像对电路进步没有太大的作用。如果将这两个杂质半导进行结合呢？

使用双栅极配置的 SiC FET 进行电路保护

近年来，人们对固态断路器和固态功率控制器的兴趣越来越浓厚。鉴于SiC JFET在高额定电压下具有低开态电阻而且它在需要时进行限流的能力毫不逊色，它们一直被视为此应用的理想器件。我们调查了常关型SiC FET在双栅极结构中的使用情况，以简化大电流直流断路器和交流断路器的开发

高速电路中串扰引发的损耗问题

今天给大家分享一个串扰引发损耗变大的问题。这类问题经常出现在小型化的产品、连接器、线缆等产品中。

几种常见的沟槽结构SiC MOSFET类型

SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽结构可以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低

用SiC FET固态断路器取代机械断路器可行吗？

机械断路器损耗低，但是速度慢而且会磨损。采用SiC FET的固态断路器可以解决这些问题且其损耗开始降低。

【科普小贴士】MOSFET的性能：电容的特性

Ciss、Crss和Coss的电容特性是影响MOSFET开关特性的重要因素。

Ciss：输入电容（Ciss＝Cgd＋Cgs）

详解运算放大器线性应用的三个重点

集成运算放大器是采用一定制造工艺将大量半导体三级管、电阻、电容等元件以及它们之间的连线制作在同一小块单晶硅的芯片上，并具有一定功能的电子电路。

利用封装天线技术简化60GHz汽车车内雷达传感器设计

毫米波雷达为汽车和工业应用提供了一种主要的感应方式，即使在恶劣的环境条件下，它也能够远距离、以出色的角度和速度精度检测距离为几厘米至几百米的物体。

典型的雷达传感器包含一个雷达芯片组以及其他电子元件，例如电源管理电路、闪存和接口外设，所有这些都装配在一个印刷电路板(PCB)上。发送天线和接收天线通常也在PCB上实现，但要提高天线性能，则需要使用高频基板材料（例如Rogers RO3003），而这会增加PCB的成本和复杂性。此外，天线可能会占用多达30%的布板空间（图1）。

AC/DC转换方法介绍——变压器方式

AC/DC转换有变压器方式和开关方式。本节介绍变压器方式。

变压器方式

这是普通AC/DC转换器的变压器方式电路结构。

三分钟看懂雪崩光电二极管

雪崩光电二极管是由日本工程师“Jun-ichi Nishizawa”于 1952 年设计的。雪崩光电二极管是一种非常灵敏的半导体探测器，它利用光电效应将光转化为电。

在光纤通信系统中，使用雪崩光电二极管等单个组件将光转换为电信号。在雪崩过程中，电荷载流子是通过碰撞产生的。光粒子状光子会产生许多电子，进而产生电流。

什么是雪崩光电二极管

肖特基二极管4大特性，你都知道吗？

前言

肖特基二极管是重要的电子元器件，因为其承载着保护电路的重要作用，所以显得格外的不可或缺，我们都知道在选择肖特基二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。

为什么PCB走线中避免出现锐角和直角？