技术

方便、可重复使用的布线模块，可以使工程师快速地扇出最复杂的组件接口。而且在扇出之后，可以将结构保存到模块库中，为后续类似的设计节省更多时间。

在设计PCB时，我们通常会依赖以前在网上找到的经验和技巧。某些规则在设计时是通用的，也有部分规则只能用于特定设计。

本文阐述了如何将英飞凌的CoolGaN™集成功率级（IPS）技术应用于有源钳位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC转换器拓扑。

本文介绍英飞凌的绝缘体上硅（SOI）驱动芯片技术。

在自动驾驶的进程中，汽车配备了越来越多的传感器。相比使用其他测量原理和技术的传感器，基于霍尔效应的磁场传感器拥有诸多优势。

在各家VR产品厂家的设计方案中，大多数VR眼镜多是内置锂电池的无线设备。而锂电池恰恰是VR设备自身安全性的最大短板。

分享本文，从射频界面、小的期望信号、大的干扰信号、相邻频道的干扰四个方面解读射频电路4大基础特性，并给出了在PCB设计过程中需要特别注意的重要因素。

没有时间？那就从这里开始吧！这个快速列表概述了这本书的要点。

本文将回顾工业应用中的信号调节要求以及设计人员需要关注的问题。接下来，将介绍ON Semiconductor的高性能零漂移运算放大器解决方案，并说明为什么以及如何将其用于满足工业信号调节要求

电感功耗包括线圈损耗和磁芯损耗两个基本因素，线圈损耗归结于线圈的直流电阻(DCR)，磁芯损耗归结于电感的磁特性。

本章将探讨如何将氮化镓 (GaN) 用于现有的和新的军事、航天和商业应用中。随着技术进步，GaN 越来越受工程师的青睐。在本章，我们将深入了解 GaN 有望处于领先地位的一些新应用和行业。

根据Buck电路的几个工作阶段，我们分别讨论MOSFET的损耗

您的第一辆汽车也许就像我的一样，缺少摄像头、雷达和激光雷达等传感器模块，而正是这些模块使得现代高级驾驶辅助系统 (ADAS) 的安全特性（如盲点检测、泊车辅助和防撞）成为可能。

本文介绍微控制器的五要素

啸叫是指听到来自PCB板的类似“叽”或“吱”声音的现象。例如，听说有的便携设备用的廉价充电器发出相当大的啸叫音。

PE42545 单刀四掷开关采用倒装芯片形式，最高可支持67 GHz，PE42525 单刀双掷开关最高可支持60 GHz。PE42546 单刀四掷开关采用小型3 x 3mm LGA 封装设计，最高可支持45 GHz频率。

本章将深入探讨氮化镓 (GaN) 技术 ：其属性、优点、不同制造工艺以及最新进展。这种更深入的探讨有助于我们了解 ：为什么 GaN 能够在当今这个技术驱动的环境下发挥越来越重要的作用。

本文针对QC／T-1067-2017标准带来全面解析。

当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。

本文是有关先进驾驶辅助系统(ADAS)的发展历史系列文章的第一部分。本系列由多个部分组成，将回顾各种不同系统的说明。