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下面为方便电子工程师快速准确的选择场效应晶体管，可以从以下六大诀窍着手。

晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。下面我们详细了解一下单向晶闸管的结构和导电特性。

随着语音播放、交互功能的不断普及，在各类民用电子产品中，音频模块越来越成为必备的一部分。由于音频部分直接影响终端客户的使用体验，音频功放的设计也需要进行更多的考虑和取舍。

电源电路是电路设计的重要环节，一般情况下，单电源能实现功能的用单电源就行，可选的方案很多，DC-DC、LDO等芯片很多。有时候，单电源无法满足需求时，就必须用到负电源。

为什么共模电流是EMI的主要原因？要回答这个问题，如果从共模辐射和差模辐射的发射模型公式可以明显看出，共模辐射能量强的多

第五讲谈谈锂离子电池为实现可持续发展社会作贡献的原因，以及替换铅蓄电池的优点、再循环方法、未来的可能性。

经常遇到有人把晶振的负载电容与外接电容混淆，甚至还有人误以为这是指同样的参数。这里需要特别指出的是：若你这样想，就大错特错了。

在本文中，我们将通过双脉冲测试来确认驱动器源极引脚的效果。

在便携和可穿戴设备等电池供电的低电压应用中，常有一些功能需要较高的电压才能工作，例如射频收发器、精密模拟电路、白光LED背光驱动、雪崩光电二极管(APD)的偏置电路等。

电磁兼容是一门新兴的综合性学科。电磁兼容学科主要研究的是如何使在同一电磁环境下工作的各种电气电子设备和元器件都能正常工作，互不干扰，达到兼容状态。

电路图，是通过电路元件符号绘制的电子元件连线走向图，它详细的描绘了各个元件的连线和走向，各个引脚的说明，和一些检测数据。

上桥 SmartFET 因其易于使用和高水平的保护而越来越受欢迎。与标准 MOSFET 一样，SmartFET 非常适合各种汽车应用。它们的区别在于内置在上桥 SmartFET 器件中的控制电路。

IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。

本文将详细阐述在 PCB 设计中管理高密过孔的需求，以及如何实现这一需求。

本文将针对具有驱动器源极引脚的TO-247-4L封装SiC MOSFET在桥式结构情况下的栅-源电压的行为，分LS侧（低边）MOSFET导通时和关断时两种情况用2个篇幅分别进行介绍。

在通用变频器或伺服驱动器的设计中，经常会用到英飞凌的PIM模块。一般情况下PIM模块中的整流二极管都是根据后面逆变IGBT的电流等级来合理配置的

晶体、谐振器、振荡器；这些可以旋转吗？

随着半导体技术的高速发展，现今电子产品工作频率越来越高，这种增加的频率会导致信号边缘响应更加陡峭。并且由于电路板设计得越来越紧凑，布线越来越密，导致串扰问题也在日益激增。

功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个MOSFET不太可能被静电放电损坏。然而，在处理成千上万个MOSFET时，极小的故障都可能带来极大的影响。

在开关电源中，稳定直流信号中交流纹波的叠加通常都是工程师苦恼的问题，那么我们如何来减小和抑制纹波噪声呢？