<p>我们将参照图3-6（a）来解释MOSFET的工作原理。<br />
（1）在漏极为正极的漏极和源极之间施加电压。（漏极-源极电压：VDS）<br />
（2）在栅极为正极的栅极和源极之间施加电压。（栅极-源极电压：VGS）<br />
（3）其结果是，电子被吸引到栅极绝缘膜下面的p型层上，部分p型层转变为n型区（p型层中的n型区称为“反转层（沟道）”）。<br />
（4）当这个反转层完成时，MOSFET漏极到源极将形成n层路径。<br />
（n＋⇔n－⇔ 反转层（n）⇔ n＋）<br />
（5）因此MOSFET在低电阻下工作，漏极电流由外加VDS和负载流决定。</p>
<p><img alt="平面栅极MOSFET的结构和工作原理" data-entity-type="file" data-entity-uuid="f9f41f66-4888-470d-a3a0-311fce1930d9" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE3-6%EF%BC%88a%EF%BC%89%E5%B9%B3%E9%9D%A2%E6%A0%85%E6%9E%81MOSFET%E7%9A%84%E7%BB%93%E6%9E%84%E5%92%8C%E5%B7%A5%E4%BD%9C%E5%8E%9F%E7%90%86.png" /></p>
<p>图3-6（a）平面栅极MOSFET的结构和工作原理</p>
<p><img alt="沟槽栅极MOSFET的结构和工作原理" data-entity-type="file" data-entity-uuid="3decdaef-c99e-4678-afd3-1c5228661c00" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE3-6%EF%BC%88b%EF%BC%89%E6%B2%9F%E6%A7%BD%E6%A0%85%E6%9E%81MOSFET%E7%9A%84%E7%BB%93%E6%9E%84%E5%92%8C%E5%B7%A5%E4%BD%9C%E5%8E%9F%E7%90%86.png" /></p>
<p>图3-6（b）沟槽栅极MOSFET的结构和工作原理</p>
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