技术
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<p>文章来源: <a href="https://mp.weixin.qq.com/s/ufj8Qt2Mhf8uhj-BaWHrQA">得捷电子DigiKey</a></p>
<p><strong>问:运算放大器输出电压反相</strong></p>
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<p>BRT是指偏置电阻内置型晶体管。BJT通常配合电子设备中的电阻器使用。使用BRT(集成了晶体管和电阻器)可以减少安装面积。</p>
<p><img alt="BJT的应用示例" data-entity-type="file" data-entity-uuid="2e7b1324-bff0-40da-8617-331af1ddc649" src="/sites/default/files/inline-images/chap3-3-1_en.png" /></p>
<p>利用二极管的单向导电性可以设计出好玩、实用的电路。分享本文,分析限幅电路和钳位电路,是如何用二极管来实现的。</p>
<p><strong>限幅电路</strong></p>
<p> 如下图所示,当在正半周期,并且V<sub>IN</sub>大于等于0.7V,二极管正向导通。此时,</p>
<p>V<sub>OUT</sub>会被钳位在0.7V上。</p>
<p><em>作者: 陈虎,文章转载:<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/sqRN1SXLKlcNC4IUCSk0QQ">凡亿PCB</a></em></p>
<p>首先我们需要知道什么是ESD?</p>
<p>双极晶体管有两种类型:NPN型和PNP型。NPN型产品涵盖低耐受电压到高耐受电压产品。耐受电压为400V或以下的PNP型产品,特别是耐受电压为200V或以下的PNP型产品是主流产品。</p>
<p>它们有放大功能,可以将小信号转换成大信号。集电极电流IC与基极电流IB(IC/IB)之比称为直流电流增益,用hFE表示。</p>
<p>当小电流(IB)从基极流向发射极时,电流IBx hFE从集电极流向发射极。</p>
<p>本文转载自:<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/omw8PlNazGXNjdqReDSI0A">罗姆半导体集团</a></p>
<p>本文将谈一谈使用有刷直流电机驱动器IC进行PWM驱动时,通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时的功耗。之所以讨论这个话题,是因为再生时的实际功耗可能会大于估算值,在某些情况下可能会引发问题,所以需要注意。</p>
<p><strong>线路板板面起泡</strong></p>
<section data-mid="" mpa-from-tpl="t">
<ul>
<li data-mid="" mpa-is-content="t">其实是板面结合力不良的问题,再引申也就是板面的表面质量问题,这包含两方面的内容:</li>
</ul>
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<p><strong>电路噪声</strong></p>
<p>对于电子线路中所标称的噪声,可以概括地认为,它是对目的信号以外的所有信号的一个总称。</p>
<p>最初人们把造成收音机这类音响设备所发出噪声的那些电子信号,称为噪声。但是,一些非目的的电子信号对电子线路造成的后果并非都和声音有关,因而,后来人们逐步扩大了噪声概念。</p>
<p>本文转载自:<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/GIl78mkVPVYTIhYd5k3Mjw"> Murata村田中国</a>…;
<p>文章来源:<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/xGFtVyE3VWHuNkxMfXY8Xg"> 得捷电子DigiKey</a…;
<p><strong>什么是电阻电压系数?本文就来回答这个问题。</strong></p>
<img alt="二极管" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="68f4d070-8ab5-4db3-8cff-be6d6d7d0c8b" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1.png" /><img alt="二极管特性应用" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="f7b4c382-003e-436e-85fe-032c7c16
<section powered-by="xiumi.us">
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<p><strong>关键要点</strong></p>
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<p>作者:陈子颖,来源:<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/zHgrkfgNMDXgug5FtvH87w">英飞凌工业半导体</a></p>
<p>正确理解IGBT和模块的标准体系,对了解产品特性,指导系统设计用足产品特性,符合规范很有帮助,熟悉标准的工程师会在系统设计中更游刃有余。</p>
<p>SBD的反向恢复时间(t<sub>rr</sub>)由LC谐振电路根据结电容和外部接线的电感确定。(由于结电容几乎不受温度的影响,所以从室温到高温t<sub>rr</sub>相同。)</p>
<p><em>作者:陈子颖,来源:<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/V1aqiMCGhgUcSsCEEbrptA">英飞凌工业半导体</a></em></p…;
<p>IGBT的电流是器件基本参数之一,显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。这样的理解对于日常工作交流来说是足够了,但对于一位设计工程师是远远不够的,而且业内充满着误解和流言。</p>
<p><strong>输入侧的电解电容计算</strong></p>
<p>我们一般按照在最低输入电压下,最大输出的情况下,要求电解电容上的纹波电压低于多少个百分点来计算。当然,如果有保持时间的要求,那么需要按照保持时间的要求重新计算,二者之中,取大的值。</p>
<p>假如在最低输入电压下,电源的输入功率为Pin,最低输入交流电压有效值为Vinacmin,那么我们一般认为此时整流后的直流电压为Vinmin=1.2×Vinacmin,由于在交流两次充电周期间,对后面变换器的供电都是由电容储能来保证的,那么电压跌落是可以计算出来的:</p>
<p>C×ΔV=I×Δt,</p>