<p>碳化硅（SiC）是一种宽带隙半导体，其带隙宽度为3.26eV，远高于硅（Si）的带隙宽度（=1.12eV）。SiC具有较高的击穿电场和较高的热导率，这是由于它具有较低的晶格常数（即较短的原子间距离）从而具有较高的原子键。</p>
<p data-navititle="Si和SiC的物理性质比较 "><strong>Si和SiC的物理性质比较</strong></p>
<p data-navititle="Si和SiC的物理性质比较 "><img alt="Si和SiC的物理性质比较" data-entity-type="file" data-entity-uuid="cfa14fde-8386-4f40-86ea-e1b395c2b1aa" src="/sites/default/files/inline-images/Si%E5%92%8CSiC%E7%9A%84%E7%89%A9%E7%90%86%E6%80%A7%E8%B4%A8%E6%AF%94%E8%BE%83.PNG" /></p>
<p>当具有传统结构的SBD反向偏压时，耗尽区将延伸到半导体中，如下所示。由击穿电场和耗尽区宽度形成的三角形区域代表SBD耐受电压。耗尽区深度与掺杂浓度成反比。提高掺杂浓度有助于降低硅的电阻，从而降低SBD正向电压（V<sub>F</sub>），但要牺牲耐受电压（即三角形区域）。碳化硅的击穿电场几乎是硅的10倍。因此，如下图所示，即使SiC SBD是重掺杂的，也可以增加SiC SBD相对于Si SBD的耐受电压（即三角形区域）。</p>
<img alt="碳化硅" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="afad75a9-00d3-4b9c-958a-5f2162e3a0b3" src="/sites/default/files/inline-images/%E7%A2%B3%E5%8C%96%E7%A1%85.jpg" />
<p>此外，由于耗尽层因较高浓度而拉伸较小，因此芯片的厚度将小于采用Si的情况。半导体（Si或SiC）的厚度可以看作是正向的串联电阻，因此可以通过减小厚度来提高正向电压。</p>
<p>文章来源：<a href="https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/diodes/sic…;