技术
<p>器件缓冲似乎是处理开关过冲、振铃和损耗的一种“野蛮”解决方案，而这对于诸如IGBT之类较老的技术来说确实如此。但是，宽禁带器件，尤其是SiC FET，可以将该技术用为栅极电阻调谐的优良替代方案，以提供较低的总损耗。</p>
<p>在这个宽禁带半导体开关的新时代，器件的类型选择包括SiC MOSFET和GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），它们都有自己特性并都声称拥有最佳的性能。但是，这两种都还不是理想的开关，这两种类型的器件都在某些方面有局限性，特别是在栅极驱动要求方面和“第三象限”操作方面。</p>
<h3>SiC FET提供了另一种选择</h3>
<p>近年来，气压传感器开始广泛集成在智能手机、智能手表和可穿戴设备中，并在智能设备中大放异彩。今天小编就来带大家盘点下关于气压传感器最近出现的五种新玩法。</p>
<p><strong>1. 无人机定高</strong></p>
<p><strong>玩法介绍</strong></p>
<p><em>作者： Digi-Key 工程师 Barley Li</em></p>
<p>固态继电器 只需要很小的功率就能工作，所以即使是很小的感应噪声也足以导致系统故障。为了避免电感噪声，在电路板布局中注意选择正确的电线并合理安排布线路径是很重要的。</p>
<p><strong>1. 电线选择</strong><br />
请勿将电源线放置在输入线旁边，因为这容易导致感应噪声，从而影响固态继电器。如果感应噪声出自固态继电器的输入端，可以使用以下电缆予以解决。</p>
<p>使晶体管工作会产生电气负载和热负载。对晶体管来讲，负载太大寿命会缩短，最坏的情况下会导致晶体管被破坏。为防止这种情况，需要检查实际使用状态，并确认在使用上是否有问题。这里说明一下具体的判定方法。为安全使用晶体管，请务必作为参考。</p>
<p><strong>判定前：晶体管的选定～贴装的流程</strong></p>
<p><strong>1. 晶体管的选定</strong><br />
从Web、Shortform产品目录上选定满足规格要求的晶体管。<br />
晶体管产品页</p>
<p><strong>编者按</strong></p>
<p>功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器、UPS、交流静态开关、SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。</p>
<p>内容摘自英飞凌英文版应用指南AN2012-01《双极性半导体技术信息》。</p>
<p><strong>电气特性</strong></p>
<p><em>作者：Art Pini，Digi-Key 北美编辑，文章来源：</em><a href="https://www.digikey.cn/zh/articles/the-fundamentals-application-of-zene…;
<p><strong>1. 电感和电感器</strong></p>
<p>电感（inductor）是一个绕在磁性材料上的导线线圈（coil），电感通以电流时产生磁场（magnetic field），磁场很懒，不喜欢变化，结果呢，电感就成为阻碍其电流（current）变化的元件。</p>
<p>如果流过电感的电流恒定，电感就很高兴，不用对电子流出任何力（force），此时的电感线圈就是普通导线。</p>
<p><strong>何谓总栅极电荷（Qg）？</strong></p>
<p>"总栅极电荷（Qg）是指为导通（驱动）MOSFET而注入到栅极电极的电荷量。 有时也称为栅极总电荷。"<br />
单位为库仑（C），总栅极电荷值较大，则导通MOSFET所需的电容充电时间变长，开关损耗增加。数值越小，开关损耗（切换损耗）越小，从而可实现高速开关。</p>
<p><strong>总栅极电荷和导通电阻</strong></p>
<p>在一般的隔离电源中，光耦隔离反馈是一种简单、低成本的方式。但对于光耦反馈的各种连接方式及其区别，目前尚未见到比较深入的研究。而且在很多场合下，由于对光耦的工作原理理解不够深入，光耦接法混乱，往往导致电路不能正常工作。本研究将详细分析光耦工作原理，并针对光耦反馈的几种典型接法加以对比研究。</p>
<p><strong>1、典型接法及其工作原理</strong></p>
<p>基本电路：一般直流稳压电源都使用220伏市电作为电源，经过变压、整流、滤波后输送给稳压电路进行稳压，最终成为稳定的直流电源。这个过程中的变压、整流、滤波等电路可以看作直流稳压电源的基础电路，没有这些电路对市电的前期处理，稳压电路将无法正常工作。</p>
<p><strong>1、变压电路</strong></p>
<p>本文详细叙述了实际使用时对IPM模块的各种结温的计算和测试方法，从直接红外测试法，内埋热敏测试，壳温的测试方法，都进行详细说明，以指导技术人员通过测量模块自带的Tntc的温度估算或测试IPM变频模块的结温，然后利用开发样机测试结果对实际产品进行结温估算标定，评估IPM模块运行的可靠性。</p>
<p>MOSFET工作（启动）时，漏极和源极间的阻值称为导通电阻 （RDS(ON)）。数值越小，工作时的损耗（功率损耗）越小。</p>
<h3>关于导通电阻的电气特性</h3>
<p>晶体管的消耗功率用集电极饱和电压 （V<sub>CE(sat)</sub>） 乘以集电极电流（I<sub>C</sub>）表示。</p>
<p>（集电极损耗P<sub>C</sub>））＝（集电极饱和电压V<sub>CE(sat)</sub> ）x（集电极电流I<sub>C</sub>）</p>
<p>说到PCB板，很多朋友会想到它在我们周围随处可见，从一切的家用电器，电脑内的各种配件，到各种数码产品，只要是电子产品几乎都会用到PCB板，那么到底什么是PCB板呢?PCB板就是PrintedCircuitBlock,即印制电路板，供电子组件安插,有线路的基版。通过使用印刷方式将镀铜的基版印上防蚀线路,并加以蚀刻冲洗出线路</p>
<p><em>作者：蒋修国，来源于信号完整性 </em></p>
<p><strong>一、射频连接器的分类</strong></p>
<p>射频连接器（射频同轴连接器）是一种电连接器，其一般与同轴线缆一起配合使用。射频连接器的屏蔽效能一般都比较好。所以射频连接器在射频产品和数字电路中越来越多的被应用。但是射频同轴连接器的类型非常多，很多时候很容易混淆。射频同轴连接器的型号由主名称代号和结构代号两部分组成，中间用短划线“-”隔开。具体产品不同结构的命名由详细规范规定。下图就是一张非常详细的图片，标识出来了绝大数的连接器名称和对应的频率。</p>
<p><strong>关于MOSFET的寄生容量和温度特性</strong></p>
<p><strong>MOSFET的静电容量</strong></p>
<p>功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量。<br />
功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间形成PN接合，成为内置二极管构造。C<sub>gs</sub>, C<sub>gd</sub>容量根据氧化膜的静电容量、C<sub>ds</sub>根据内置二极管的接合容量决定。</p>
<p>电容降压的工作原理并不复杂。阻容降压的工作原理是利用电容在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作电流。同时在电容器上串联一个阻性元件，则阻性元件两端所得到的电压和它所产生的功耗完全取决于这个阻性元件的特性。</p>
<p>因此，电容降压实际上是利用容抗限流，而电容器实际上起到一个限制电流和动态分配电容器和负载两端电压的角色。</p>
<p>例如，在50Hz的工频条件下，一个1uF的电容所产生的容抗约为3180欧姆。当220V的交流电压加在电容器的两端，则流过电容的最大电流约为70mA。虽然流过电容的电流有70mA，但在电容器上并不产生功耗，因为如果电容是一个理想电容，则流过电容的电流为虚部电流，它所作的功为无功功率。</p>
<p><em>作者： Digi-Key 工程师 Barley Li</em></p>
<p>在热插拔应用中，如果出现较大的过流故障，保护IC就会迅速切断电流，以保护附近的组件不受损坏。这种电流快速关断（可能从50 A（过流）到0 A（保护关断））将在几十纳秒内发生，并导致大电流瞬变（di/dt），如以下公式所示。</p>
<p><strong>选定方法</strong></p>
<p><strong><img alt="选定方法" data-entity-type="file" data-entity-uuid="3a57fba4-7041-4a2b-ab8c-a004b72aacd3" src="/sites/default/files/inline-images/1_200.png" /></strong></p>