<p><strong>关于MOSFET的寄生容量和温度特性</strong></p>
<p><strong>MOSFET的静电容量</strong></p>
<p>功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量。<br />
功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间形成PN接合，成为内置二极管构造。C<sub>gs</sub>, C<sub>gd</sub>容量根据氧化膜的静电容量、C<sub>ds</sub>根据内置二极管的接合容量决定。</p>
<p><img alt="图1: MOSFET的容量模型" data-entity-type="file" data-entity-uuid="53939600-5443-4873-8241-edccd4444923" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE1%EF%BC%9AMOSFET%E7%9A%84%E5%AE%B9%E9%87%8F%E6%A8%A1%E5%9E%8B.png" /></p>
<p><em>图1: MOSFET的容量模型</em></p>
<p>一般而言MOSFET规格书上记载的是表1中的C<sub>iss</sub>/C<sub>oss</sub>/C<sub>rss</sub>三类。</p>
<p><strong>表1 MOSFET的容量特性</strong></p>
<p><img alt="表1 MOSFET的容量特性" data-entity-type="file" data-entity-uuid="be7f03f4-f5c6-4c36-b93a-d8ab281a0e01" src="/sites/default/files/inline-images/%E8%A1%A81%20MOSFET%E7%9A%84%E5%AE%B9%E9%87%8F%E7%89%B9%E6%80%A7.PNG" /></p>
<p>容量特性如图2所示，对DS (漏极、源极) 间电压V<sub>DS</sub>存在依赖性。V<sub>DS</sub>大则容量值小。</p>
<p><img alt="图2: 容量 - VDS 依存性" data-entity-type="file" data-entity-uuid="53b62447-1550-4ccd-ba09-235ee0ade58d" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE2%EF%BC%9A%E5%AE%B9%E9%87%8F%20-%20VDS%20%E4%BE%9D%E5%AD%98%E6%80%A7.png" /></p>
<p><em>图2: 容量 - V<sub>DS</sub> 依存性</em></p>
<p><strong>温度特性</strong></p>
<p>实测例见图(1) ~ (3)所示<br />
关于容量特性的温度依存性几乎没有差异。</p>
<p><img alt="图3: 容量温度特性" data-entity-type="file" data-entity-uuid="17b7e29a-2bdc-4d2f-8064-2a3489a9a48e" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE3%EF%BC%9A%20%E5%AE%B9%E9%87%8F%E6%B8%A9%E5%BA%A6%E7%89%B9%E6%80%A7.png" /></p>
<p><em>图3: 容量温度特性</em></p>
<p><strong>关于MOSFET的开关及其温度特性</strong></p>
<p><strong>关于MOSFET的开关时间</strong></p>
<p>栅极电压ON/OFF之后，MOSFET才ON/OFF。这个延迟时间为开关时间。开关时间如表1所示种类，一般而言，规格书上记载t<sub>d(on)</sub>/ t<sub>r</sub>/ t<sub>d(off)</sub>/ t<sub>f</sub>。</p>
<p>ROHM根据图2电路的测定值决定规格书的typ.值。</p>
<p><strong>表1: MOSFET的SW特性</strong></p>
<p><img alt="表1: MOSFET的SW特性" data-entity-type="file" data-entity-uuid="0ea4231c-a8b2-49f6-95bf-43d070f4024d" src="/sites/default/files/inline-images/%E8%A1%A81%EF%BC%9AMOSFET%E7%9A%84SW%E7%89%B9%E6%80%A7.PNG" /></p>
<p><img alt="开关波形" data-entity-type="file" data-entity-uuid="4ee94901-8dde-46dc-b4d0-e94e24430d49" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE1-%E5%9B%BE2_0.png" /></p>
<p><strong>温度特性</strong></p>
<p>实测例如图3(1)~(4)所示。<br />
温度上升的同时开关时间略微增加，但是100°C上升时增加10%成左右，几乎没有开关特性的温度依存性。</p>
<p><img alt="图3: 开关温度特性" data-entity-type="file" data-entity-uuid="919b7da3-83fa-4706-8170-e1e0cd778d57" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE3%EF%BC%9A%E5%BC%80%E5%85%B3%E6%B8%A9%E5%BA%A6%E7%89%B9%E6%80%A7.png" /></p>
<p><em>图3: 开关温度特性</em></p>
<p><strong>关于MOSFET的V<sub>GS(th)</sub>(界限値)</strong></p>
<p><strong>关于MOSFET的V<sub>GS(th)</sub></strong></p>
<p>MOSFET开启时，GS (栅极、源极) 间需要的电压称为V<sub>GS(th)</sub>（界限值)。<br />
即输入界限值以上的电压时MOSFET为开启状态。<br />
那么MOSFET在开启状态时能通过多少A电流？针对每个元件，在规格书的电气特性栏里分别有记载。</p>
<p>表1为规格书的电气特性栏示例。该情况下，输入V<sub>DS</sub>=10V时，使1mA电流通过I<sub>D</sub>所需的栅极界限值电压I<sub>D(th)</sub>为1.0V to 2.5V。</p>
<p><strong>表1: 规格书的电气特性栏</strong></p>
<p><img alt="表1: 规格书的电气特性栏" data-entity-type="file" data-entity-uuid="5e7c35da-8449-47ab-9a1b-c7ed42d42772" src="/sites/default/files/inline-images/%E8%A1%A81%EF%BC%9A%E8%A7%84%E6%A0%BC%E4%B9%A6%E7%9A%84%E7%94%B5%E6%B0%94%E7%89%B9%E6%80%A7%E6%A0%8F.gif" /></p>
<p><strong>I<sub>D</sub>-V<sub>GS</sub>特性和温度特性</strong></p>
<p>I<sub>D</sub>-V<sub>GS</sub>特性和界限值温度特性的实测例如图1、2所示。<br />
如图1，为了通过绝大部分电流，需要比较大的栅极电压。<br />
表1所记载的机型，其规格书上的界限值为2.5V以下，但是为4V驱动产品。<br />
使用时请输入使其充分开启的栅极电压。</p>
<p>如图2，界限值随温度而下降。<br />
通过观察界限值电压变化，能够计算元件的通道温度。</p>
<p><img alt="图1: ID-VGS特性 图2: 界限值温度特性" data-entity-type="file" data-entity-uuid="b261b709-3f18-4fd8-84a7-a5eaad442e9a" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE1-2.png" /></p>
<p> 图1: I<sub>D</sub>-V<sub>GS</sub>特性 图2: 界限值温度特性</p>
<p>文章来源：<a href="https://www.rohm.com.cn/electronics-basics/transistors/tr_what5">罗姆</a>…;