<p><strong>何谓总栅极电荷（Qg）？</strong></p>
<p>"总栅极电荷（Qg）是指为导通（驱动）MOSFET而注入到栅极电极的电荷量。 有时也称为栅极总电荷。"<br />
单位为库仑（C），总栅极电荷值较大，则导通MOSFET所需的电容充电时间变长，开关损耗增加。数值越小，开关损耗（切换损耗）越小，从而可实现高速开关。</p>
<p><strong>总栅极电荷和导通电阻</strong></p>
<p>如上所述，总栅极电荷的值越小，开关损耗越小。而且，导通电阻值越小，工作时的功耗越小。<br />
然而，总栅极电荷和导通电阻的特性处于权衡关系。<br />
通常，MOSFET的芯片尺寸（表面积）越小，总电荷量越小，但导通电阻值会变大。<br />
换句话说，开关损耗与工作时的功耗之间存在权衡关系。</p>
<p><strong>动态输入特性</strong></p>
<p><strong><img alt="动态输入特性" data-entity-type="file" data-entity-uuid="e817b13b-dcbd-4b1a-b648-8546d30c45c0" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%8A%A8%E6%80%81%E8%BE%93%E5%85%A5%E7%89%B9%E6%80%A7.jpg" /></strong></p>
<p><em>动态输入特性</em></p>
<p>该图为动态输入（Qg –VGS）的特性例。<br />
在图中，常温下的漏极侧电源电压（VDD ）和漏极电流（ID ）是固定特性， VDD = 300 V ， ID = 30A 时所需的最小电荷量约为60nC。此时的栅源电压 （VGS ） 为6.5V。<br />
实际上是在MOSFET完全导通的情况下，调整有权衡关系的导通电阻值，从而设定栅源电压（VGS ） 。<br />
此时，可从图表读取设定电压和总栅极电荷（Qg）（例如， VGS = 10 V 时为85nC ， VGS = 15V 时为 130nC ）。</p>
<p>文章来源：<a href="https://www.rohm.com.cn/electronics-basics/transistors/tr_what10">罗姆</a…;