技术
<p>DC/DC转换器是一种将DC（直流）转换为DC（直流）的元件，具体是指利用DC（直流）转换电压的元件。 IC等电子元件各自的工作电压范围不同，因此需要转换为相应的电压。</p>
<p>生成电压低于初始电压的转换器被称为"降压转换器"；生成电压高于初始电压的转换器被称为"升压转换器"。</p>
<p><strong>名称说明</strong></p>
<p>DC/DC转换器是指将直流转换为直流的装置的名称。</p>
<p>它常被称为线性稳压器或开关稳压器等，以转换方式的名称命名。</p>
<p><strong>一、门电路简介</strong></p>
<p>用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路称为门电路。常用的门电路在逻辑功能上有与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等几种。</p>
<p><strong>二、门电路性质</strong></p>
<p><strong>门电路输入</strong></p>
<p><em>作者：张家瑞、黄正斌、张哲睿，英飞凌科技应用工程师</em></p>
<p>传统上在高压功率晶体的设计中，采用硅材料的功率晶体要达到低通态电阻，必须采用超级结技术（superjunction），利用电荷补偿的方式使磊晶层（Epitaxial layer）内的垂直电场分布均匀，有效减少磊晶层厚度及其造成的通态电阻。但是采用超级结技术的高压功率晶体，其最大耐压都在1000V以下。如果要能够耐更高的电压，就必须采用碳化硅材料来制造功率晶体。以碳化硅为材料的功率晶体，在碳化硅的高临界电场强度之下，即使相同耐压条件之下，其磊晶层的厚度约为硅材料的1/10，进而其所造成的通态电阻能够有效被降低，达到高耐压低通态电阻的基本要求。 </p>
<p><em>作者：Richard Quinnell，来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/iQPq2OiJDNcgILns6TOJvQ">得捷电子DigiKey</a></em>…;
<p><em> 作者：王泽龙，来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/I3sdJr5Wf4X0qoqkmnZ6cw">凡亿PCB </a></em>…;
<p><em> 本文转载自：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/5id-0e_pfDtLrroTxh4e0A">得捷电子DigiKey</a></em>…;
<p><strong>问：压敏电阻规格说明</strong></p>
<p>肖特基二极管（SBD）是一种采用半导体和金属（比如：钼）结合，而不是采用pn结的器件。一般来说，金属与n型层结合的半导体已经实现了商业化。由于其正向电压小，反向恢复时间短，所以适合于高速开关应用。</p>
<p>对于SBD而言，正向电压（V<sub>F</sub>）和反向泄漏电流之间存在折衷关系。</p>
<p>根据所使用的金属，通常来说反向耐受电压约为20至150V，V<sub>F</sub>约为0.4至0.7V，低于pn结二极管的值。</p>
<p>具有低正向电压和低泄漏电流的新型结构的SBD也已经实现商业化。</p>
<p><em>作者：Marian Hryntsiv, Dialog半导体公司（瑞萨全资子公司）文档工程师</em></p>
<p><strong>简介</strong></p>
<p>很多应用在其用户控制界面中采用机械电位计。我们可以将这些机械电位计换成更新且可靠的编码器控制元件和数字变阻器，它们是改变信号电气参数的组件。</p>
<p>IGBT7作为英飞凌最新一代IGBT技术平台，它与IGBT4的性能对比一直是工程师关心的问题。本文通过FP35R12W2T4与 FP35R12W2T7在同一平台伺服驱动中的测试，得到了相同工况下IGBT4与IGBT7的结温对比。实验结果表明，在连续大功率负载工况与惯量盘负载工况的对比测试中，IGBT7的结温均低于IGBT4。</p>
<p>可变电容二极管是利用耗尽层电容特性的产品。当施加反向电压时，耗尽层出现在二极管的pn结中，其厚度与反向电压成正比。</p>
<p>因此，随着反向电压的增加，耗尽层厚度增加，但电容减小。其作用与增加电容器两个电极之间的距离相同。相反，如果反向电压减小，耗尽层厚度减小，但电容增加。</p>
<p>它应用于调谐电路等。由于这种电容变化会改变频率特性，因此与普通二极管相比，需要较大的容量变化率。</p>
<p>场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，但这都是相对的。电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。就其性能而言，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能。</p>
<p>开关电源调试时最常见的10个问题，做为工程师的你还不知道吗？PS：内附解决方法！</p>
<p><strong>1、变压器饱和</strong></p>
<p><strong>变压器饱和现象</strong></p>
<p>在高压或低压输入下开机(包含轻载，重载，容性负载)，输出短路，动态负载，高温等情况下，通过变压器(和开关管)的电流呈非线性增长，当出现此现象时，电流的峰值无法预知及控制，可能导致电流过应力和因此而产生的开关管过压而损坏。</p>
<p> </p>
<p>鉴于全球能源危机，当前电子设备的重点是实现高功率与低能耗的结合。因此，许多电子公司都在提高其众多产品规格中的效率标准。然而，常规的硬开关转换器几乎无法满足这些要求。所以，电源单元的开发人员已经转向诸如LLC谐振转换器之类的软开关拓扑，以提高效率并实现更高的工作频率。但是，他们必须考虑以下几个方面的问题。</p>
<p>如图2-6（a）所示，TVS二极管（ESD保护二极管）在短时间内吸收很高的过电压，其作用是避免对其它半导体器件施加过大的电压。另一方面，如图2-6（b）所示，齐纳二极管将输入电压钳制为恒定电压，并将钳制的电压提供给其它半导体器件。</p>
<p>因此两者的差异在于，TVS二极管吸收浪涌电压以保护其它半导体器件，而齐纳二极管为其它半导体器件提供恒定电压。</p>
<p> 文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/Z4he2OUWN-Hb2lrh6ZN0dg">得捷电子DigiKey</a></p>
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<p><strong>问：陶瓷电容的温度系数额定值</strong></p>
<p>电容器大致用于以下三种用途。钽电容器作为电容器的一种，也被用于同样的用途。</p>
<p><strong>1. 储能用途</strong></p>
<p><img alt="储能用途" data-entity-type="file" data-entity-uuid="00efba66-6dd6-4db7-a735-a9fe55e05868" src="/sites/default/files/inline-images/1.%20%E5%82%A8%E8%83%BD%E7%94%A8%E9%80%94.jpg" /></p>
<p><strong>1. 什么叫钽电容器</strong></p>
<p>电容器是瞬间储蓄电荷的器件，其性能体现在能储蓄多少电荷。使用了对储蓄电荷有优异特性的钽元素的电容器被称为钽电容器。</p>
<p><strong>2. 电容器的种类</strong></p>
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<section><strong>什么是阻抗</strong></section>
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<p> 在电学中，常把对电路中电流所起的阻碍作用叫做阻抗。阻抗单位为欧姆，常用Z表示，是一个复数：</p>
<p>Z= R+i( ωL–1/(ωC))</p>
<p><strong>晶振概述</strong></p>
<p>晶振一般指晶体振荡器。晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片），石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振；</p>
<p>而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。</p>
<p><strong>晶振工作原理</strong></p>