<p>如图2-6（a）所示，TVS二极管（ESD保护二极管）在短时间内吸收很高的过电压，其作用是避免对其它半导体器件施加过大的电压。另一方面，如图2-6（b）所示，齐纳二极管将输入电压钳制为恒定电压，并将钳制的电压提供给其它半导体器件。</p>
<p>因此两者的差异在于，TVS二极管吸收浪涌电压以保护其它半导体器件，而齐纳二极管为其它半导体器件提供恒定电压。</p>
<p><img alt="TVS二极管的用途/齐纳二极管的用途" data-entity-type="file" data-entity-uuid="5b7dd348-f1b1-4be9-b6b4-c586aa649603" src="/sites/default/files/inline-images/TVS%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1%E7%9A%84%E7%94%A8%E9%80%94.png" /></p>
<p><em>图2-6（a）TVS二极管的用途 图2-6（b）齐纳二极管的用途</em></p>
<p><strong>[TVS二极管：参见图2-7（a）]</strong></p>
<p>TVS二极管通常用于反向阻塞状态。（几乎没有电流流动，只施加电压。）<br />
只有当电压超过一定电压（钳位电压）并施加到TVS二极管时，才会发生击穿（钳位）。</p>
<p><img alt="TVS二极管使用区域" data-entity-type="file" data-entity-uuid="13230f4c-8228-4a68-9d0a-29c026b978b3" src="/sites/default/files/inline-images/TVS%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1%E4%BD%BF%E7%94%A8%E5%8C%BA%E5%9F%9F.png" /></p>
<p><em>图2-7（a）TVS二极管使用区域</em></p>
<p>齐纳二极管通常用于击穿状态。</p>
<p>假设击穿（齐纳）电流总是在正常状态下流动。</p>
<p><img alt="齐纳二极管使用区域" data-entity-type="file" data-entity-uuid="f260056f-7d9a-4713-bae6-7eb08cf4a3b7" src="/sites/default/files/inline-images/%E9%BD%90%E7%BA%B3%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1%E4%BD%BF%E7%94%A8%E5%8C%BA%E5%9F%9F.png" /></p>
<p><em>图2-7（b）齐纳二极管使用区域</em></p>
<p>文章来源：<a href="https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/knowledge/e-learni…;