<p>肖特基二极管（SBD）是一种采用半导体和金属（比如：钼）结合，而不是采用pn结的器件。一般来说，金属与n型层结合的半导体已经实现了商业化。由于其正向电压小，反向恢复时间短，所以适合于高速开关应用。</p>
<p>对于SBD而言，正向电压（V<sub>F</sub>）和反向泄漏电流之间存在折衷关系。</p>
<p>根据所使用的金属，通常来说反向耐受电压约为20至150V，V<sub>F</sub>约为0.4至0.7V，低于pn结二极管的值。</p>
<p>具有低正向电压和低泄漏电流的新型结构的SBD也已经实现商业化。</p>
<p>（东芝采用沟槽结构的SBD，实现了低V<sub>F</sub>和低泄漏电流的特性。）</p>
<p><img alt="肖特基二极管的符号与结构" data-entity-type="file" data-entity-uuid="582e359c-2fde-4c8a-a8c8-034b657d5404" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE2-9%EF%BC%88a%EF%BC%89%E8%82%96%E7%89%B9%E5%9F%BA%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1%E7%9A%84%E7%AC%A6%E5%8F%B7%E4%B8%8E%E7%BB%93%E6%9E%84.png" /></p>
<p>图2-9（a）肖特基二极管的符号与结构</p>
<p><img alt="肖特基二极管的电特性" data-entity-type="file" data-entity-uuid="321a08a1-3117-4403-bc8f-3d4714a11eb1" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE2-9%EF%BC%88b%EF%BC%89%E8%82%96%E7%89%B9%E5%9F%BA%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1%E7%9A%84%E7%94%B5%E7%89%B9%E6%80%A7.png" /><br />
图2-9（b）肖特基二极管的电特性</p>
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