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意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。

850 nm和 940 nm器件采用3.4 mm×3.4 mm表面贴装封装，驱动电流达1.5A DC，脉冲电流为5A，亮度可达6000 mW/sr

根据IC Insights发布的1月半导体行业快览报告，2021年全球O-S-D市场销售额首次突破1000亿美元，以18%的整体增长率从2020年的883亿美元飙升至1042亿美元。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出了一款三相无刷直流电机控制预驱动集成电路(IC) 

东芝今天宣布将在其主要的分立半导体生产基地（石川县的加贺东芝电子株式会社）新建一座300毫米晶圆厂房，用于生产功率半导体。厂房建设将分两个阶段进行，以便根据市场趋势优化投资步骤。

可定制器件采用小型两件式结构，12 V工作电压，工作温度达+105 °C，适用于各种恶劣车载环境

株式会社村田制作所此前制定了截至2030财年的温室气体（简称GHG）减排目标，由于该目标依照《巴黎协定》，旨在“努力将全球气温升幅控制在比工业革命前高出1.5℃之内”，并以科学依据为基准而制定，因此获得了国际倡议组织“SBTi（Science Based Targets Initiative 科学减碳倡议组织）”的SBT认定。