ROHM

ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

新产品实现引脚间电容仅为0.24pF（双向）和0.48pF（单向）的超低电容特性。

新产品将供电量限制在最大250mW，同时内置了向充电IC供电所需的开关MOSFET等外部器件

新产品出色地兼顾了低输入失调电压、低噪声及高压摆率，通过丰富的产品阵容可为用户提供便捷的选型体验。

新产品实现低待机电流（Typ：0.0μA，Max：1.0μA），可大幅提升应用产品待机时的节能性能。

新产品在VDS=48V工作条件下，可确保脉冲宽度10ms时7.5A、1ms时25A的宽SOA范围。

RPR-0730是一款反射式小型接近传感器（反射式光电传感器）。通过采用比LED指向性更优异的红外VCSEL*2作为发光元件，实现了对更微细目标物的检测

与同等耐压和导通电阻的以往封装产品（TO-263-7L）相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。

ROHM今日宣布，成功开发出在2012尺寸分流电阻器（10mΩ～100mΩ）领域实现业界超高额定功率的“UCR10C系列”产品。

DOT-247采用将两个TO-247封装相连的造型，通过配备在TO-247结构上难以容纳的大型芯片，并采用ROHM自有的内部结构，实现了更低导通电阻