ROHM

ROHM推出广泛适用于直流有刷电机的通用电机驱动器IC!

新产品实现低待机电流(Typ0.0μAMax1.0μA),可大幅提升应用产品待机时的节能性能。

ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5 mm×6 mm小尺寸MOSFET

新产品在VDS=48V工作条件下,可确保脉冲宽度10ms时7.5A、1ms时25A的宽SOA范围。

精度 + 速度双突破!ROHM 新型 VCSEL 接近传感器,0.1mm 微细线体也能秒检测

RPR-0730是一款反射式小型接近传感器(反射式光电传感器)。通过采用比LED指向性更优异的红外VCSEL*2作为发光元件,实现了对更微细目标物的检测

体积更小且支持大功率!ROHM开始量产SCT40xxDLLTOLL封装的SiC MOSFET

与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比,其散热性提升约39%,虽然体型小且薄,却能支持大功率。

突破业界功率上限!ROHM UCR10C 系列分流电阻器,2012 尺寸实现 1.0W/1.25W 超高额定功率

ROHM今日宣布,成功开发出在2012尺寸分流电阻器(10mΩ100mΩ)领域实现业界超高额定功率的UCR10C系列产品。

打破 TO-247 局限!ROHM DOT-247 模块实现 2.3 倍功率密度,适配多电平电路

DOT-247采用将两个TO-247封装相连的造型,通过配备在TO-247结构上难以容纳的大型芯片,并采用ROHM自有的内部结构,实现了更低导通电阻

适用于高功率密度车载充电器的紧凑型SiC模块

要实现零碳社会的目标,交通工具的电动化至关重要。更轻、更高效的电子元器件在这一进程中发挥着重要作用。车载充电器(OBC)便是其中一例。

ROHM推出实现业界超低电路电流的超小尺寸CMOS运算放大器

新产品通过采用引脚间距缩小至0.35mmWLCSP封装,实现1mm²以下的超小尺寸,同时兼具超低静态电流特性

ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃

新模型“ROHM Level 3L3过采用简化的模型公式,能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时,将仿真时间较以往L1模型缩短约50%

ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产

隔离型栅极驱动器IC的抗扰度指标——共模瞬态抗扰度(CMTI达到150V/ns(纳秒),是以往产品的1.5倍,可有效防止GaN HEMT开关时令人困扰的高转换速率引发的误动作