ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃
judy -- 周二, 06/10/2025 - 16:05
新模型“ROHM Level 3(L3)”通过采用简化的模型公式,能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时,将仿真时间较以往L1模型缩短约50%
新模型“ROHM Level 3(L3)”通过采用简化的模型公式,能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时,将仿真时间较以往L1模型缩短约50%
隔离型栅极驱动器IC的抗扰度指标——共模瞬态抗扰度(CMTI)达到150V/ns(纳秒),是以往产品的1.5倍,可有效防止GaN HEMT开关时令人困扰的高转换速率引发的误动作
采用小型SSOP6封装的“BD1422xG-C”支持+40V的输入电压,非常适用于车身和驱动控制单元中5V/12V驱动的电源网络中的电流监测和保护
白皮书内为工程师介绍硅电容器的市场趋势以及ROHM首款硅电容器的特点,助力您快速了解产品信息。
ROHM面向中小功率(30W~1kW级)的工业设备和消费电子设备,开始提供LogiCoA™电源解决方案
新推出40V~150V耐压的共13款产品,非常适用于工业设备电源和各种电机驱动
有助于配备小型电机的设备减少抗噪声设计工时和部件数量,并降低功率损耗
ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术,利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。
入电压范围为-0.2V~+26V,非常适用于12V和24V电源应用的电流检测用途
ROHM的SWIR器件计划采用业界超小级别的1.6mm×0.8mm表贴封装。通过小型发光和感光产品的不同组合,不仅可以减少安装面积,从而进一步节省空间,还有助于扩大在小型应用中的感测领域。