ROHM

ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃

新模型“ROHM Level 3L3过采用简化的模型公式,能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时,将仿真时间较以往L1模型缩短约50%

ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产

隔离型栅极驱动器IC的抗扰度指标——共模瞬态抗扰度(CMTI达到150V/ns(纳秒),是以往产品的1.5倍,可有效防止GaN HEMT开关时令人困扰的高转换速率引发的误动作

ROHM重磅推出车规级高精度电流检测放大器:支持-14V至80V宽压,赋能电动汽车安全与效率革新

采用小型SSOP6封装的“BD1422xG-C”支持+40V的输入电压,非常适用于车身和驱动控制单元中5V/12V驱动的电源网络中的电流监测和保护

利用硅半导体技术同时实现了小型化和高性能的ROHM首款硅电容器

白皮书内为工程师介绍硅电容器的市场趋势以及ROHM首款硅电容器的特点,助力您快速了解产品信息。

ROHM开始提供业界先进的“模拟数字融合控制”电源—LogiCoA™电源解决方案

ROHM面向中小功率(30W~1kW级)的工业设备和消费电子设备,开始提供LogiCoA™电源解决方案

ROHM推出超低导通电阻的Nch MOSFET

新推出40V~150V耐压的共13款产品,非常适用于工业设备电源和各种电机驱动

ROHM推出600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”

有助于配备小型电机的设备减少抗噪声设计工时和部件数量,并降低功率损耗

ROHM推出更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术

ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术,利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。

ROHM推出精度达±1%的电流检测放大器IC“BD14210G-LA”

入电压范围为-0.2V~+26V,非常适用于12V24V电源应用的电流检测用途

ROHM确立超小短波红外器件的量产技术

ROHM的SWIR器件计划采用业界超小级别的1.6mm×0.8mm表贴封装。通过小型发光和感光产品的不同组合,不仅可以减少安装面积,从而进一步节省空间,还有助于扩大在小型应用中的感测领域。